[发明专利]一种制作低应力低翘曲度超薄奇数层无芯板的方法

权利要求书

1.一种制作低应力低翘曲度超薄奇数层无芯板的方法，其特征在于，包括：

步骤10：在半固化片双面各贴附一层铜箔，制作低温压合双面覆铜半固化片；

步骤20：对该低温压合双面覆铜半固化片双面进行光刻、显影和刻蚀，形成双面具有电路的半固化片；

步骤30：将该双面具有电路的半固化片、第二半固化片和第二铜箔由上至下叠加进行低温真空压合，将顶层半固化片下表面的电路压合至第二半固化片中，形成一个含有3层金属2层半固化片的复合基板结构；

步骤40：对该复合基板结构底层的第二铜箔进行光刻、显影和刻蚀，形成具有3层电路的复合半固化片；

步骤50：对该具有3层电路的复合半固化片进行高温真空压合，使该具有3层电路的复合半固化片中的2层树脂完全固化，形成带有3层金属电路2层树脂的无芯基板结构；

步骤60：对该带有3层金属电路2层树脂的无芯基板结构进行激光钻孔形成通孔，对该通孔进行金属化处理形成导电过孔，然后双面制作绿油并绿油开窗，对露出的金属电路表面进行涂敷或喷锡，形成3层金属电路无芯板。

2.根据权利要求1所述的制作低应力低翘曲度超薄奇数层无芯板的方法，其特征在于，步骤10中所述在半固化片双面各贴附一层铜箔，制作低温压合双面覆铜半固化片，包括：

在半固化片双面各贴附一层铜箔，在100℃-120℃下采用真空压膜机对半固化片及其双面的铜箔进行压合，时间至少1分钟，形成低温压合双面覆铜半固化片。

3.根据权利要求2所述的制作低应力低翘曲度超薄奇数层无芯板的方法，其特征在于，所述半固化片由半固化树脂构成，且在该半固化树脂中含有一层芯板玻纤布。

4.根据权利要求1所述的制作低应力低翘曲度超薄奇数层无芯板的方法，其特征在于，步骤20中所述对该低温压合双面覆铜半固化片双面进行光刻、显影和刻蚀，形成双面具有电路的半固化片，具体包括：

在该低温压合双面覆铜半固化片双面涂敷光刻胶层，并对光刻胶层进行干膜前处理，然后压干膜；

对压干膜后的光刻胶层进行曝光显影，形成光刻胶蚀刻掩膜；

以该光刻胶蚀刻掩膜为掩膜对半固化片双面的铜箔进行蚀刻，制作双面覆铜半固化片双面电路，形成带有电路图形的半固化片；以及

剥离该带有电路图形的半固化片双面的光刻胶，形成双面具有电路的半固化片。

5.根据权利要求1所述的制作低应力低翘曲度超薄奇数层无芯板的方法，其特征在于，步骤30中所述低温真空压合，是在100℃-120℃下采用真空压膜机实现的，压合时间至少1分钟。

6.根据权利要求1所述的制作低应力低翘曲度超薄奇数层无芯板的方法，其特征在于，步骤40中所述对该复合基板结构底层的第二铜箔进行光刻、显影和刻蚀，形成具有3层电路的复合半固化片，具体包括：

在该复合基板结构双面涂敷光刻胶层，并对光刻胶层进行干膜前处理，然后压干膜；

对该复合基板结构底层的第二铜箔表面的干膜进行曝光显影，形成铜箔面电路掩膜；对该复合基板结构顶层半固化片电路表面的干膜进行无掩膜曝光，形成顶层半固化片电路表面的保护层；

以形成的铜箔面电路掩膜为掩膜，对该复合基板结构底层的第二铜箔进行蚀刻，形成第3层电路；以及

剥离该第3层电路表面的光刻胶以及该复合基板结构顶层半固化片上表面的保护层，形成具有3层电路的复合半固化片。

7.根据权利要求1所述的制作低应力低翘曲度超薄奇数层无芯板的方法，其特征在于，步骤50中所述对该具有3层电路的复合半固化片进行高温真空压合，具体包括：

将该具有3层电路的复合半固化片双面用高光洁度离型膜覆盖，置于高温压机中进行高温真空压合，温度为190℃-220℃。

8.根据权利要求1所述的制作低应力低翘曲度超薄奇数层无芯板的方法，其特征在于，所述步骤60包括：

对该带有3层金属电路2层树脂的无芯基板结构进行激光钻孔，形成通孔；

对形成的通孔进行金属化处理，形成导电过孔；

在该带有3层金属电路2层树脂的无芯基板结构的上下表面制作绿油，并绿油开窗，露出该无芯基板结构顶层和底层的金属电路；以及

在露出的金属电路表面涂覆NiAu、NiPdAu或OSP，或者在露出的金属电路表面喷锡，形成3层金属电路无芯板。