[发明专利]一种基于相干控制的动态可调谐吸收器在审

专利信息
申请号: 201410246834.0 申请日: 2014-06-05
公开(公告)号: CN104021817A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 史金辉;聂光宇;史全超;朱正;关春颖 申请(专利权)人: 哈尔滨工程大学
主分类号: G12B17/02 分类号: G12B17/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 相干 控制 动态 调谐 吸收
【权利要求书】:

1.一种基于相干控制的动态可调谐吸收器,由介质层和人工电磁材料层组成,其特征在于:人工电磁材料层位于介质层的两侧,分别刻蚀在介质层的基底上,为人工电磁材料为周期或非周期排列的非对称开口环结构单元,非对称开口环结构由两个长度不等的金属线或弧构成,非对称开口环结构包含2段不等长的金属线或弧。

2.根据权利要求1所述的一种基于相干控制的动态可调谐吸收器,其特征在于:所述的非对称开口环结构厚度为微米或者百纳米量级,单元结构为金属材料;介质层的基底的材料为PCB材料、半导体材料、玻璃,厚度为毫米或者百微米量级。

3.根据权利要求1所述的一种基于相干控制的动态可调谐吸收器,其特征在于:所述基底厚度为1.6毫米,材料是PCB,介电常数ε=4.05-0.05i,每个人工电磁材料单元的尺寸为15毫米×15毫米,金属弧的材料是铜,金属弧对应的角度为α=140度和β=160度,内径r=5.6毫米,外径R=6.4毫米,厚度t=35微米。

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