[发明专利]一种基于相干控制的动态可调谐吸收器在审
申请号: | 201410246834.0 | 申请日: | 2014-06-05 |
公开(公告)号: | CN104021817A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 史金辉;聂光宇;史全超;朱正;关春颖 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工程大学 |
主分类号: | G12B17/02 | 分类号: | G12B17/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 相干 控制 动态 调谐 吸收 | ||
1.一种基于相干控制的动态可调谐吸收器,由介质层和人工电磁材料层组成,其特征在于:人工电磁材料层位于介质层的两侧,分别刻蚀在介质层的基底上,为人工电磁材料为周期或非周期排列的非对称开口环结构单元,非对称开口环结构由两个长度不等的金属线或弧构成,非对称开口环结构包含2段不等长的金属线或弧。
2.根据权利要求1所述的一种基于相干控制的动态可调谐吸收器,其特征在于:所述的非对称开口环结构厚度为微米或者百纳米量级,单元结构为金属材料;介质层的基底的材料为PCB材料、半导体材料、玻璃,厚度为毫米或者百微米量级。
3.根据权利要求1所述的一种基于相干控制的动态可调谐吸收器,其特征在于:所述基底厚度为1.6毫米,材料是PCB,介电常数ε=4.05-0.05i,每个人工电磁材料单元的尺寸为15毫米×15毫米,金属弧的材料是铜,金属弧对应的角度为α=140度和β=160度,内径r=5.6毫米,外径R=6.4毫米,厚度t=35微米。
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