[发明专利]一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法有效
| 申请号： | 201410246865.6 | 申请日： | 2014-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104073876B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 顾溢;张永刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 材料 界面 质量 分子 外延 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法，其特征在于：
在分子束外延生长异质材料时，先关闭生长前一层材料所需的所有快门，经过t秒后再打开生长后一层材料所需的所有快门，即可；其中，0<t≤0.5。
2.根据权利要求1所述的一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法，其特征在于：所述异质材料为InGaAs/InAlAs、InGaP/InAlP或InGaAs/AlGaAs。
3.根据权利要求1所述的一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法，其特征在于：所述异质材料用于多量子阱、超晶格或量子级联激光器结构。
4.根据权利要求1所述的一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法，其特征在于：异质材料为InGaP/InAlP，在生长完InAlP后关闭In和Al束源炉的快门，经过0.3秒后再打开In和Ga束源炉的快门。
5.根据权利要求1所述的一种提高异质材料界面质量的分子束外延生长方法，其特征在于：异质材料为InGaAs/InAlAs，在生长完InGaAs后关闭In和Ga束源炉的快门，经过0.5秒后再打开In和Al束源炉的快门。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410246865.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
