[发明专利]一种低噪声放大器结构

权利要求书

1.一种低噪声放大器结构，其特征在于，包括带隙基准模块和低噪声放大模块，所述带隙基准模块包含带隙基准单元、数控单元和控制信号产生器，所述带隙基准单元和所述控制信号产生器输出信号至所述数控单元，通过产生带隙电压，协同数控单元加以调整，校准带隙基准模块的输出电压，调整低噪声放大模块的直流偏置；所述低噪声放大模块包括信号放大电路和镜像抑制滤波器，所述信号放大电路接收所述数控单元的输出信号进行低噪声放大，并通过所述镜像抑制滤波器对镜像信号加以抑制。

2.如权利要求1所述的低噪声放大器结构，其特征在于，所述信号放大电路在输出端采用LC并联回路。

3.如权利要求1所述的低噪声放大器结构，其特征在于，所述带隙基准单元采用带隙电压产生和复制增压技术，将温度相关性小且电压值高的带隙电压进行电压升高，同时保持低温度相关性；克服传统电压基准的固定低电压输出结构，增加带隙的设计灵活性。

4.如权利要求1所述的低噪声放大器结构，其特征在于，所述数控单元将所述带隙基准单元产生的高电压基准信号进行电压-电流转换，保证其低的温度系数，并通过双极型电流镜，将基准电流进行电流-电压转换，确保对后级低噪声放大器的直流偏置，稳定工作点。

5.如权利要求1所述的低噪声放大器结构，其特征在于，所述控制信号产生器通过增益采样，产生数控信号Di(i＝1-3)输入至数控单元，产生相应的数字控制信号Ci(i＝1-8)，将带隙基准传入的高电压在进行电压-电流-电压转换时改变转换倍数，产生一个温度相关性小，大小可调的双极型器件的带隙电压，输出至低噪声放大器。

6.如权利要求1所述的低噪声放大器结构，其特征在于，所述信号放大电路采用片上可调自偏置结构，对所述信号放大电路的增益和输入匹配均可调。

7.如权利要求1所述的低噪声放大器结构，其特征在于，所述信号放大电路采用共射共基结构；增强输入输出的隔离度，减小两端口的米勒效应，提高增益，降低噪声，减小负载LC电路对于输入的匹配贯通影响。

8.如权利要求1所述的低噪声放大器结构，其特征在于，所述镜像抑制滤波器通过在镜像频率下产生一个小于0.2Ω的电阻，将输入信号转换的跨导电流信号小信号接地，使得输出端含有小于10％的镜像分量；同时，确保工作频率下近似为高阻抗，保证工作频率下的信号不失真放大。

9.如权利要求1所述的低噪声放大器结构，其特征在于，所述镜像抑制滤波器采用片上无源元件制造，镜像抑制过程中不产生功耗，实现零功耗滤波结构。