[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

布线板；

第一半导体芯片，安装在所述布线板的第一表面上，并且该第一半导体芯片在平面图中是长方形；以及

第二半导体芯片，设置在所述第一半导体芯片上，

其中，所述第一半导体芯片具有面对所述第一表面的元件形成表面，并且具有多个第一直通硅通孔，

其中，所述第二半导体芯片被电耦接到所述第一半导体芯片的所述第一直通硅通孔，

其中，当与所述第一半导体芯片的长边平行的方向被定义为行方向并且与所述第一半导体芯片的长边垂直的方向被定义为列方向时，所述第一直通硅通孔的每一个被布置在网格点的任一个上，所述网格点被布置成m行和n列，其中m＞n，并且

其中，如沿着所述第一半导体芯片的短边所取的横截面上所观察到的，通过耦接被布置在m行和n列中的最外面的网格点而定义的直通硅通孔区域的中心在第一方向上偏离于所述第一半导体芯片的短边的中心。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

其中，所述第二半导体芯片具有多个第二直通硅通孔，并且

其中，第三半导体芯片设置在所述第二半导体芯片上并且被电耦接到所述第二半导体芯片的所述第二直通硅通孔。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

其中，如在平面图中所观察到的，至少一些所述第二直通硅通孔与所述第一直通硅通孔中的任一个重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

其中在沿着所述第一半导体芯片的短边所取的横截面上，所述第一半导体芯片的中心不与所述第二半导体芯片的中心对齐。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

其中所述第一半导体芯片包括多个连接端子，所述多个连接端子被设置在所述元件形成表面上并耦接到所述布线板，

其中所述第一半导体芯片包括电路形成区域，在所述电路形成区域中形成电路，并且

其中在平面图中，至少一些所述连接端子位于所述直通硅通孔区域与所述电路形成区域之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

其中所述第一半导体芯片包括多个连接端子，所述多个连接端子被设置在所述元件形成表面上，沿着所述第一半导体芯片的所述短边被布置，并被耦接到所述布线板，并且

其中，在与所述第一半导体芯片的所述长边平行的方向上，在与所述直通硅通孔区域重叠的区域中的每单位长度的所述连接端子的数量少于在不与所述直通硅通孔区域重叠的区域中的每单位长度的所述连接端子的数量。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

其中所述第二半导体芯片是存储芯片，

其中所述第一半导体芯片在平面图中与所述第一直通硅通孔重叠的区域和其周围，包括控制所述第二半导体芯片的存储器控制电路。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

其中，当所述第一半导体芯片被在与所述直通硅通孔区域的长边平行的方向上从所述直通硅通孔区域延伸的区域分成第一区域以及比所述第一区域小的第二区域时，所述第一半导体芯片在所述第一区域中具有与所述第二半导体芯片通信的第一逻辑电路。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

其中，如在平面图中所观察到的，所述第二半导体芯片比所述第一半导体芯片的两个长边延伸出更多，并且所述第二半导体芯片在第一方向上从其中一条长边延伸的延伸量比从另一条长边的延伸量大，

其中所述半导体器件包括：

第一密封树脂，密封所述第一半导体芯片和所述布线板之间的空间；以及

第二密封树脂，密封所述第二半导体芯片和所述布线板之间的空间，并且

其中，如在平面图中所观察到的，所述第一密封树脂比所述第一半导体芯片的两个长边延伸出更多，并且所述第一密封树脂在第一方向上从其中一条长边延伸的延伸量比从另一条长边的延伸量大。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

其中所述直通硅通孔区域的长边的长度是所述直通硅通孔区域短边的长度的十倍或者更多倍。