[发明专利]一种场发射用铷铯掺杂金属基石墨烯冷阴极的制备方法有效
申请号: | 201410247705.3 | 申请日: | 2014-06-05 |
公开(公告)号: | CN104018112A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 张跃;丁一;廖庆亮;闫小琴;白鹤;王钦玉;章龙 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C23C4/12 | 分类号: | C23C4/12;C23C4/04 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发射 用铷铯 掺杂 金属 基石 墨烯冷 阴极 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于纳功能器件制备领域,涉及一种真空热喷涂方法制备铷铯掺杂金属基石墨烯冷阴极的制备方法。
背景技术
石墨烯(Graphene)是一种由碳原子构成的单层片状结构的新材料。石墨烯是已知的世上最薄、最坚硬的纳米材料,导热系数高达5300W/m·K,常温下其电子迁移率超过15000cm2/V·s,而电阻率只约10-6Ω·cm,因此在纳米发电机([1]ROHIJ;SHINPK,KR2013141901-A)、力电传感器([2]HURSTA,KURTZAD,US2010140723-A1;US8044472-B2)、发光二极管([3]Tchernycheva,M;Lavenus,P;Zhang,H;Babichev,AV;Jacopin,G;Shahmohammadi,M;Julien,FH;Ciechonski,R;Vescovi,G;Kryliouk,O,T10.1021/nl5001295,2456-65)、场发射冷阴极([4]ChaoxingWu;FushanLi;YongaiZhang;TailiangGuo,AppliedSurface Science,10.1016/j.apsusc.2013.02.058)、紫外探测器([5]TranVietCuong;HuynhNgocTien;Van HoangLuan;VietHungPham;JinSukChung;DaeHwangYoo;SungHongHahn;JournalPaper.10.1002/pssa.201026553)、太阳能电池([6]Iwan,A(Iwan,Agnieszka);Chuchmala,A(Chuchmala,Andrzej),PolymerScience,2012,37,1805-1828)、电致变色膜([7]Zhao,L(Zhao,Lu);Zhao,L(Zhao,Liang);Xu,YX(Xu,Yuxi);Qiu,TF(Qiu,Tengfei);Zhi,LJ(Zhi,Linjie);Shi,GQ(Shi,Gaoquan)Electrochemistry,2009,55,491-497)、生物传感器([8]Song,YP(Song Yingpan);Feng,M(FengMiao);Zhan,HB(ZhanHongbing),Chemistry,2012,24,1665-1673)等多种纳米功能器件上得到成功运用,将成为高速晶体管、高灵敏传感器、激光器、触摸屏以及生物医药器材等多种器件的核心材料。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆