[发明专利]电流垂直平面式磁阻读取传感器

权利要求书

1.一种电流垂直平面式(或CPP)磁阻读取传感器(1)，包括堆叠层(11-15)，其中：

所述堆叠层沿着堆叠的堆叠方向(z)延伸；以及

平行于所述堆叠方向的堆叠的边缘表面(S)还平行于所述读取传感器的支承面并形成其至少一部分，所述支承面设计成在操作中面向记录介质，

并且其中所述堆叠层包括：

第一触点层(15)；

铁磁性的自由层(14)，其磁性取向根据所施加的磁场变化，所述自由层在所述第一触点层的上方；

在铁磁性层的上方的非磁性层(13)；

铁磁性的自旋注入层(12)，在非磁性层的上方；以及

在自旋注入层的上方的第二触点层(11)，使得电流能够在第二触点层和第一触点层之间沿着电流垂直于平面的方向(z)、平行于所述堆叠方向流动，

并且其中堆叠层还包括一系列结构(30)，其中：

所述系列结构中每一个都在第一触点层(15)和自由层(14)两者中形成，所述结构中每一个的边缘表面与堆叠的所述边缘表面齐平；以及

所述系列结构沿着平行于支承面且垂直于堆叠方向的方向(x)延伸。

2.如权利要求1所述的传感器，其中自由层和第一触点层的结构通过沟槽(35)限定，其中每一个结构具有主延伸方向(y)，所述主延伸方向：垂直于堆叠方向(z)；并且横向于支承面，优选地垂直于支承面。

3.如权利要求2所述的传感器，其中所述沟槽(35)穿过第一触点层(15)和自由层(14)两者至少到非磁性层(13)来形成，由此所述结构中每一个都包括触点层的一部分和自由层的一部分。

4.如权利要求3所述的传感器，其中所述沟槽的深度延伸穿过第一触点层和自由层两者，至少部分地进入非磁性层(13)。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的传感器，其中：

传感器(1)是CPP隧道磁致电阻读取传感器，以及

非磁性层是电绝缘的隧道势垒层。

6.如权利要求1中任意一项所述的传感器，其中：

传感器(1)是CPP巨磁致电阻读取传感器；以及

非磁性层是导电的。

7.如权利要求1至6中任意一项所述的读取传感器，其中所述读取传感器是带式读取传感器，所述支承面(S)是带式支承面。

8.如权利要求1至6中任意一项所述的读取传感器，其中所述读取传感器是硬盘驱动器读取传感器，所述支承面(S)是气垫面。

9.如权利要求1至8中任意一项所述的读取传感器，还包括与所述堆叠的各层相邻或平行的附加层(21–23，51–59)，包括至少两个屏蔽层(21–23)，屏蔽层中的至少一个(21，22)在所述堆叠层的每一侧上并且与其平行。

10.如权利要求1至9中任意一项所述的读取传感器，其中所述堆叠层是第一堆叠层，所述读取传感器还包括：

第二堆叠层，具有类似于第一堆叠层结构(30)的结构(30a)；以及

至少三个屏蔽层(21–23)，

并且其中第一堆叠层和第二堆叠层是叠加的，第一堆叠的结构(30)相对于第二堆叠的结构(30a)沿着平行于支承面且垂直于堆叠方向的所述方向(x)偏移，屏蔽层中的至少一个在第一堆叠和第二堆叠中的每一个的每一侧上并且与其平行。

11.如权利要求10所述的读取传感器，在第一堆叠和第二堆叠之间只包括一个屏蔽层(22)。

12.根据权利要求1至9中任意一项所述的读取传感器，包括数个堆叠层，每一个都如所述堆叠层(11–15)那样构造，所述数个堆叠布置成堆叠层的线性阵列，或者优选地，布置成堆叠层的两个叠加的线性阵列，线性阵列中第一个的结构相对于两个阵列中第二个的结构沿着平行于所述支承面且垂直于所述堆叠方向的所述方向(x)偏移。