[发明专利]一种多晶铁电薄膜基铁电阻变存储器

权利要求书

1.一种多晶铁电薄膜基铁电阻变存储器，包括下电极层、多晶铁电薄膜层和上电极层，多晶铁电薄膜层位于下电极层、上电极层之间，其特征在于，在下电极层、多晶铁电薄膜层之间和/或多晶铁电薄膜层、上电极层之间含缺陷调控层；所述缺陷调控层材料的相对介电常数不低于5，且不高于铁电材料相对介电常数，厚度为1～20nm，缺陷调控层与多晶铁电薄膜层厚度比为0.001～0.2；所述缺陷调控层材料的能带带隙大于3eV，与多晶铁电薄膜的晶格失配小于0.1；

所述缺陷调控层材料为Y₂O₃和ZrO₂的复合物，所述多晶铁电薄膜层材料为(Bi_3.15Nd_0.85)Ti₃O₁₂。

2.根据权利要求1所述的铁电阻变存储器，其特征在于，所述缺陷调控层材料的相对介电常数为27。

3.根据权利要求1所述的铁电阻变存储器，其特征在于，所述缺陷调控层材料的厚度为5～15nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的铁电阻变存储器，其特征在于，所述下电极层材料为Pt、Au、W、Al、Ir、Ti、TiN、TaN中的一种或几种，或者为SrRuO₃、LaNiO₃、IrO₂、Al:ZnO、In:SnO₂或F:SnO₂的金属氧化物。

5.根据权利要求1所述的铁电阻变存储器，其特征在于，所述上电极层材料为Pt、Au、W、Al、Ir、Ti、TiN、TaN中的一种或几种，或者为SrRuO₃、LaNiO₃、IrO₂、Al:ZnO、In:SnO₂或F:SnO₂的金属氧化物。

6.根据权利要求1所述的铁电阻变存储器，其特征在于，多晶铁电薄膜的厚度为10～500nm。