[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201410249835.0 申请日: 2014-06-06
公开(公告)号: CN104241258B 公开(公告)日: 2018-09-25
发明(设计)人: 山道新太郎;小川健太 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/367
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 申发振
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

布线板;

第一半导体芯片,其被安装于所述布线板的第一表面之上使得元件形成表面面朝所述第一表面,并且所述第一半导体芯片具有第一电路;

第二半导体芯片,其被布置于所述第一半导体芯片之上;以及

多个连接端子,其将所述第一半导体芯片与所述布线板耦接,

其中所述第一半导体芯片具有面朝所述第一表面的所述元件形成表面,并且所述第一半导体芯片具有多个第一硅通孔,

其中所述第二半导体芯片与所述第一半导体芯片的所述第一硅通孔电耦接,

其中每个所述第一硅通孔都被布置于成m行和n列排布的网格点中的任意一个上,其中m>n,

其中通过将成m行和n列排布的最外侧网格点耦接来界定的硅通孔区在平面图中不与所述第一电路重叠,

其中所述硅通孔区在平面图中不与所述多个连接端子重叠,

其中所述多个连接端子包括多个第一连接端子,

其中所述多个第一连接端子中的一些连接端子在平面图中位于所述第一电路与所述第一硅通孔之间,

其中所述第一半导体芯片和所述硅通孔区两者在平面图中都是矩形的,

其中所述硅通孔区的长边在平面图中与所述第一半导体芯片的短边平行,

其中所述第一电路在平面图中位于所述硅通孔区的所述长边与所述第一半导体芯片的所述短边之间,

其中当在与所述硅通孔区平行的截面中观察时,所述硅通孔区的中心沿着与所述第一电路的相反方向偏离所述第一半导体芯片的中心,并且

其中如果所述第一半导体芯片由通过使所述硅通孔区平行于所述硅通孔区的所述长边延伸而形成的区域划分,则包含所述第一电路的区域具有数量比另一区域更多的连接端子。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中,在所述截面中,从所述第二半导体芯片的所述中心到所述布线板的所述中心的距离比从所述第一半导体芯片的所述中心到所述布线板的所述中心的距离短。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:

第一密封树脂,其用于密封在所述第一半导体芯片与所述布线板之间的间隔;以及

第二密封树脂,其用于密封在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的间隔,

其中所述第一密封树脂比所述第二密封树脂薄。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中所述第一半导体芯片比所述第二半导体芯片薄。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中在平面图中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片两者都是矩形的,并且

其中在平面图中所述第二半导体芯片的长边与所述第一半导体芯片的短边平行。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,

其中所述第二半导体芯片具有多个第二硅通孔,

其中第三半导体芯片被布置于所述第二半导体芯片之上并且与所述第二半导体芯片的所述第二硅通孔电耦接,并且

其中所述第三半导体芯片比所述第二半导体芯片厚。

7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一半导体芯片的所述第一电路是中央处理单元。

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