[发明专利]显示器件及其邦定方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示器件的邦定方法及使用该方法所制成的显示器件。

背景技术

原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)技术具有极高的包裹性及台阶覆盖性，是一种用于OLED领域的新型封装技术，通过ALD封装后的OLED，具有极高的耐水性及耐腐蚀性。传统OLED在ALD封装前，通常需要将OLED上待邦定芯片(IC)和电路板的邦定区进行掩膜处理，然而，由于ALD技术具有极高的包裹性及台阶覆盖性，在经过ALD后，上述被掩膜的邦定区仍有可能被ALD沉积层污染，从而导致邦定区无法与芯片(IC)或电路板正常接触。另外，由于OLED对水的高度敏感性，也没有办法利用光刻技术对上述邦定区的ALD沉积层进行处理。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供了一种无需对ALD沉积层进行图形化处理，就可以实现显示器件有效邦定的邦定方法及使用该方法所制成的显示器件。

一种显示器件的邦定方法，所述显示器件包括基板及设于所述基板上的邦定件，所述基板上设有与所述邦定件对应的邦定区；具体包括如下步骤：

于基板邦定区形成各向异性导电膜；

原子层沉积并形成原子层沉积层；

对形成各向异性导电膜的位置进行穿刺；

将邦定件邦定至各向异性导电膜。

在其中一个实施例中，所述于基板邦定区形成各向异性导电膜的步骤中，所述形成方式包括贴合、涂覆或压印。

在其中一个实施例中，所述原子层沉积并形成原子层沉积层的步骤中包括至少两次原子层沉积的步骤。

在其中一个实施例中，所述原子层沉积层的厚度为10-500nm。

在其中一个实施例中，所述原子层沉积层的厚度为50nm。

在其中一个实施例中，所述原子层沉积并形成原子层沉积层的步骤中，通过气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成所述原子层。

在其中一个实施例中，所述对形成各向异性导电膜的位置进行穿刺的步骤中包括：通过穿刺元件刺穿所述原子层并暴露出所述各向异性导电膜。

在其中一个实施例中，所述穿刺元件为带针尖的滚轮、滚球或针板。

在其中一个实施例中，所述将邦定件邦定至各向异性导电膜的步骤包括：通过热压将所述邦定件邦定在经过穿刺的所述各向异性导电膜上。

在其中一个实施例中，所述邦定件为芯片及电路板中的至少一种。

一种显示器件，采用上述任一项实施例中所述显示器件的邦定方法制成。

上述显示器件邦定方法，使用ALD技术对基板进行封装，并将邦定件的邦定工艺过程设定在ACF沉积之后，通过对形成ACF的位置进行穿刺进而实现基板与邦定件之间的邦定。这种邦定方法无需对ALD进行图形化处理，就可以实现显示器件的有效邦定，并简化了显示器件的邦定工艺，进一步降低了显示器件的生产成本。

附图说明

图1为OLED的基本结构示意图；

图2为OLED邦定区邦定后的横截面结构示意图；

图3为OLED的邦定步骤；

图4为OLED的邦定流程。

具体实施方式

请参图1，本实施方式揭示了一种OLED100，其主要包括基板110。基板110上设有发光区111、引线区112以及邦定区113。其中发光区111位于基板110中央，并用于OLED的图像显示，其顺次设置有阳极层、有机功能层以及阴极层。引线区112为阳极引线以及阴极引线的布线区，引线区112内的阳极引线、阴极引线通过邦定区113与芯片(IC)或与电路板等邦定件邦定。需要指出的是，本实施方式的OLED为单边邦定型，即将所有阴极引线，所有阳极引线集中到一边与驱动芯片或电路板邦定，在其它实施方式中，OLED可以为双边邦定型(即将所有阴极引线集中到一边与阴极驱动电路进行邦定，所有阳极引线集中到另一边与阳极驱动芯片或电路板邦定)、三边邦定型(即将所有阳极引线集中到一边与阳极驱动电路进行邦定，阳极引线分奇数行及偶数行分别进行邦定)或四边邦定型(即将阳极引线分奇数行及偶数行分别进行邦定，阴极引线也分奇数行及偶数行分别进行邦定)，在此不作具体限定。