[发明专利]一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法

权利要求书

1.一种表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括步骤：

1)提供一表面具有微通道和储液池的基底，在所述微通道和储液池中生长第一自组装单层膜；

2)提供一具有镂空结构的硬掩膜，与所述基底对准后，利用紫外光穿过镂空结构辐照至第一自组装单层膜的局部区域，使所述第一自组装单层膜的局部区域被氧化去除；

3)在去除第一自组装单层膜的区域生长第二自组装单层膜；

4)重复步骤2)，局部去除所述第一自组装单层膜的另一局部区域，并在这一区域生长第三自组装单层膜；

5)继续重复上述去除和生长步骤，实现多重自组装单层膜在圆片级基底表面的集成生长。

2.根据权利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，其特征在于：所述步骤1)中采用光刻和湿法腐蚀的方法在所述基底上形成微通道和储液池。

3.根据权利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，其特征在于：所述步骤1)中生长第一自组装单层膜之前还包括：首先，在基底表面除微通道和储液池外的位置沉积保护层；然后，对所述基底进行等离子体或紫外光清洗。

4.根据权利要求3所述的表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，其特征在于：所述保护层为铬/金材料。

5.根据权利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，其特征在于：所述自组装单层膜以与基底形成共价键的方式附着在基底表面。

6.根据权利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，其特征在于：所述自组装单层膜通过硅烷偶联剂生长在所述基底上。

7.根据权利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，其特征在于：所述基底为硅片或玻璃片。

8.根据权利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，其特征在于：所述多重自组装单层膜按表面能由低到高的顺序依次生长。

9.根据权利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，其特征在于：采用分子气相沉积的方法生长形成多重自组装单层膜，生长的多重自组装单层膜的厚度在5nm以下。

10.根据权利要求1所述的表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，其特征在于：所述步骤2)中紫外辐照的光源波长小于400nm，辐照过程在密闭腔体中进行，并向腔体中通入氧气，腔体温度为80～120℃，辐照20～40分钟。

11.根据权利要求3所述的表面多功能化微流控芯片的圆片级制造方法，其特征在于：所述步骤5)之后还依次包括步骤：去除保护层；划片；将所述基底与一盖板键合；在对应所述储液池的盖板上打孔。