[发明专利]一种晶硅太阳电池扩散死层去除方法

权利要求书

1.一种晶硅太阳电池扩散死层去除方法，其特征在于，所述方法通过以下步骤完成：

首先，对扩散处理后的晶体硅片进行去磷硅玻璃处理；

接着，用NaClO水溶液、NaBrO₄ 水溶液或H₂O₂碱溶液对上述晶体硅片的死层进行氧化处理；

最后，用HF水溶液去除上述晶体硅片表面的氧化层。

2.根据权利要求1所述的去死层方法，其特征在于，上述NaClO水溶液中NaClO占该水溶液的质量百分比为0.2-1%；上述NaBrO₄水溶液中NaBrO₄占该水溶液的质量百分比为0.2-1%；上述H₂O₂碱溶液包括碱和H₂O₂ 水溶液，其中碱的含量为1-10g/L，所述碱为NaOH和/或KOH，其中H₂O₂水溶液占体积百分比的2-10%，该H₂O₂水溶液中H₂O₂占质量百分比的30-32%；上述HF水溶液中HF占质量百分比的3-10%。

3.根据权利要求2所述的去死层方法，其特征在于：上述NaClO水溶液或NaBrO₄水溶液的清洗温度为 10-30℃，清洗时间为5-200s；上述H₂O₂碱溶液的清洗温度为 30-70℃，清洗时间为5-200s。

4.根据权利要求2所述的去死层方法，其特征在于：所述HF水溶液的清洗温度为10-30℃,清洗时间为5-300s。