[发明专利]胶带及由其制成的太阳能组件和制品在审
申请号: | 201410250754.2 | 申请日: | 2011-02-18 |
公开(公告)号: | CN104051557A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 李锦波;周杰;潘祺晟;朱佳芸;潘锐;基险峰;王鹰宇;苏珊娜·科琳;格雷格·希普 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;C09J7/26;C09J7/24;C09J7/25;C09J7/21;F24S80/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴小明 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 胶带 制成 太阳能 组件 制品 | ||
1.一种无边框光能组件,其包括光能转换器,所述光能转换器的边缘被胶带密封,所述胶带包括:
(1)起粘结及减震作用的粘结层,其用于与物品边缘接触,其中所述粘结层包括基材层,其中所述基材层由选自发泡材料、丙烯酸树脂、聚氨酯、聚乙烯橡胶、无纺材料或其混合物的材料组成;和
(2)耐老化的保护层,其位于所述粘结层上,所述保护层包括膜层,其位于所述基材层上,其中所述膜层由选自聚氯乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚四氟乙烯、尼龙、离聚物或其混合物的材料制成,
其中所述胶带还包含位于所述保护层和粘结层之间的防水中间层,其中所述防水中间层由选自金属、橡胶、聚氨酯或其组合的材料制成。
2.根据权利要求1的无边框光能组件,其中所述保护层还包括底涂层,其位于所述粘结层上。
3.根据权利要求2的无边框光能组件,其中所述膜层位于所述底涂层上。
4.根据权利要求1的无边框光能组件,其中所述金属选自铝、铜或其组合。
5.根据权利要求1的无边框光能组件,其中所述橡胶选自三元乙丙橡胶、氟橡胶、聚异丁烯、或其混合物。
6.根据权利要求2的无边框光能组件,其中所述底涂层由选自聚氯乙烯、聚丙烯、聚乙烯基、聚四氟乙烯、尼龙或金属箔的材料制成。
7.根据权利要求2的无边框光能组件,其中所述底涂层还含有第三胶层,第三胶层位于底涂层的靠近基材层的那一侧。
8.根据权利要求7的无边框光能组件,其中所述第三胶层由选自亚克力胶、热熔胶、结构胶、硅基胶或其组合的胶粘剂制成。
9.根据权利要求1的无边框光能组件,其中所述膜层还含有顶层。
10.根据权利要求9的无边框光能组件,其中所述顶层选自耐磨损性涂层、耐候性涂层、防水性涂层、耐污性涂层或装饰性涂层。
11.根据权利要求1的无边框光能组件,所述粘结层与待密封物品的粘结强度,按90度剥离强度计,大于1N/cm。
12.根据权利要求11的无边框光能组件,所述粘结层的胶层为亚克力胶层,所述粘结层的基材层由亚克力泡绵制成。
13.根据权利要求1的无边框光能组件,所述保护层和所述胶带具有如下耐候性能:在IEC61215规定的-40℃-+85℃高低温循环至少200次;-40℃-+85℃/85%RH潮湿冷冻循环至少10次;+85℃/85%RH高温高湿老化至少1000小时。
14.根据权利要求13的无边框光能组件,所述保护层包括底涂层和膜层,其中所述膜层由黑色聚氯乙烯制成。
15.根据权利要求1的无边框光能组件,所述防水中间层能通过IEC61215规定的如下条件下的浸水湿漏电测试:-40℃-+85℃/85%RH潮湿冷冻循环,10次;+85℃/85%RH高温高湿老化1000小时。
16.根据权利要求15的无边框光能组件,所述防水中间层由铝箔制成。
17.根据权利要求1的无边框光能组件,其中所述基材层由泡绵胶制成。
18.根据权利要求1的无边框光能组件,其为选自光伏板、薄膜光伏板、光热板的组件。
19.一种太阳能制品,其具有如权利要求1-18中任一项所述的光能组件。
20.根据权利要求19的制品,其为选自太阳能交通工具、太阳能热水器、太阳能路灯、或太阳能幕墙的制品。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于3M创新有限公司,未经3M创新有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410250754.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:硅片表面处理装置
- 下一篇:于崩溃时具有减少漏电流的半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的