[发明专利]闪存磨损优化方法及设备有效

专利信息
申请号: 201410250878.0 申请日: 2014-06-06
公开(公告)号: CN105138472B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 石亮;沙行勉;朱冠宇;王元钢;诸葛晴凤 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G06F12/06 分类号: G06F12/06
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 闪存 编程操作 保存 写操作 磨损 保存数据 预设 优化 关系满足 临界电压 时间需求 使用寿命 脉冲 匹配 存储
【权利要求书】:

1.一种闪存磨损优化方法,其特征在于,包括:

当接收到写操作时,获取所述写操作对应的预保存数据的保存时间;

在预设的保存时间与编程操作的对应关系中,若匹配到与所述保存时间对应的编程操作,则采用所述与所述保存时间对应的编程操作,存储所述预保存数据,其中,所述预设的保存时间与编程操作的对应关系为保存时间、临界电压阈值及脉冲步幅之间的对应关系,且该对应关系满足不影响闪存的整体写操作性能;

所述获取所述写操作对应的预保存数据的保存时间,包括:

根据所述预保存数据所对应的失效队列,获得所述写操作要写入数据的闪存块中所存储数据的失效时间,所述失效队列用于记录每一闪存块中所存储数据的失效时间;

根据所述写操作要写入数据的闪存块中所存储数据的失效时间和所述写操作写入的时间,确定所述写操作的保存时间,并更新对应失效队列中所述闪存块中所存储数据的失效时间。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,若所述写操作对应的闪存页中未写入数据,则所述获取所述写操作对应的预保存数据的保存时间,包括:

设置所述写操作对应的预保存数据的保存时间为预设时间;

在所述保存时间对应的失效队列中,添加所述预保存数据及其失效时间,其中,该失效时间为所述写操作的写入时间与所述保存时间的加和。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述采用所述与所述保存时间对应的编程操作,存储所述预保存数据,包括:

确定所述写操作对应的闪存块;

在所述闪存块内,采用所述脉冲步幅,将闪存中的浮置栅极FG充电至所述临界电压阈值,所述临界电压阈值的个数为至少一个;

记录所述写操作与所述闪存块的映射关系。

4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述获取预保存数据的保存时间之后,所述方法还包括:

根据前一次数据更新时间间隔,预测所述预保存数据的失效时间;

若确定所述保存时间在所述失效时间内,则执行所述在预设的保存时间与编程操作的对应关系中,匹配与所述保存时间对应的编程操作;

若确定所述保存时间未在所述失效时间内,则刷新所述写操作要写入数据的闪存块。

5.一种固态硬盘SSD控制器,其特征在于,包括:接收模块、写操作选择模块和访问引擎;其中,

所述接收模块,用于当接收到写操作时,触发所述写操作选择模块;

所述写操作选择模块与所述接收模块连接,用于获取所述写操作对应的预保存数据的保存时间;及在预设的保存时间与编程操作的对应关系中,匹配与所述保存时间对应的编程操作;若匹配到与所述保存时间对应的编程操作,则触发所述访问引擎,其中,所述预设的保存时间与编程操作的对应关系为保存时间、临界电压阈值及脉冲步幅之间的对应关系,且该对应关系满足不影响闪存的整体写操作性能;

所述访问引擎与所述写操作选择模块连接,用于采用所述与所述保存时间对应的编程操作,存储所述预保存数据;

所述写操作选择模块具体用于:

根据所述预保存数据所对应的失效队列,获得所述写操作要写入数据的闪存块中所存储数据的失效时间,所述失效队列用于记录每一闪存块中所存储数据的失效时间;

根据所述写操作要写入数据的闪存块中所存储数据的失效时间和所述写操作写入的时间,确定所述写操作的保存时间,并更新对应失效队列中所述闪存块中所存储数据的失效时间。

6.根据权利要求5所述的SSD控制器,其特征在于,若所述写操作对应的闪存页中未写入数据,则所述写操作选择模块具体用于:设置所述写操作对应的预保存数据的保存时间为预设时间;并触发所述访问引擎在所述保存时间对应的失效队列中,添加所述预保存数据及其失效时间,其中,该失效时间为所述写操作的写入时间与所述保存时间的加和。

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