[发明专利]湿环境下电子束直接纳米刻蚀或印刷的方法

权利要求书

1.湿环境下电子束直接纳米刻蚀或印刷的方法，其特征在于依次包括如下步骤：

(1)制作湿环境覆膜

通过在基片表面，悬滴去离子水、含无机离子的水溶液或有机络合物溶液，从而在基片表面形成厚度为1nm-1cm的液态覆膜层；或者在基片表面密封水蒸汽层，或含结晶水或吸附水的固体层，此层厚度需首先换算成水的含量，并保证换算后水层平均厚度在1nm-1cm之间；

(2)电子束曝光

对于允许湿环境操作的电子束曝光设备直接对基片进行电子束曝光；

对于不允许湿环境操作的电子束曝光设备，需首先密封湿环境覆膜层，然后将基片放置于电子束下进行曝光，从而刻蚀或印刷出所需的纳米尺度微加工图案；

(3)清洗基片

对曝光后的基片进行清洗，然后将基片烘干。

2.根据权利要求1所述的湿环境下电子束直接纳米刻蚀或印刷的方法，其特征在于对于半导体材料利用去离子水、弱酸、碱、有机络合物或无机盐类水溶液作为湿环境层对基片进行电子束曝光刻蚀或印刷。

3.根据权利要求1所述的湿环境下电子束直接纳米刻蚀或印刷的方法，其特征在于电子束曝光刻蚀、印刷的基片材质为氧化物、硫化物、氮化物、硅及硅化物、氟化物无机半导体、绝缘体、卤化物离子晶体、金属或有机物。

4.根据权利要求1所述的湿环境下电子束直接纳米刻蚀或印刷的方法，其特征在于电子束刻蚀或印刷纳米图案是通过移动电子束或者通过移动样品台来实现图案的绘制。