[发明专利]一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法

权利要求书

1.一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法，所述方法包括下述步骤：

通过离子注入法将离子注入到原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余质层，其中，薄膜层位于原始基板的表面，分离层位于薄膜层和余质层之间，注入的离子分布在分离层内；

使目标基板与原始基板的薄膜层接触，进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起，以形成键合体；

对键合体进行加热，使得薄膜层和余质层分离；

在300℃～600℃的条件下对分离后的薄膜层进行退火处理；

在装有扩散剂的预定容器内以200℃～700℃的温度对薄膜层加热，其中，扩散剂包括氧化锂和硝酸锂中的至少一种，

其中，在对薄膜层加热的步骤中，向预定容器通入氧气，使薄膜层在200℃～700℃的温度下被加热以使氧化锂扩散到薄膜层中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，扩散剂是氧化锂或者是氧化锂与铌酸锂的混合物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定容器包括：用于放置扩散剂的第一容器，在第一容器的一端设置有进气口；用于放置薄膜的第二容器，在第二容器的一端设置有出气口；用于将第一容器连接到第二容器的管路；对第一容器进行加热的第一加热器；以及对第二容器进行加热的第二加热器。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，扩散剂是硝酸锂或者是硝酸钠、硝酸钾中的至少一种与硝酸锂的混合物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在对薄膜层加热的步骤中，将薄膜层浸渍在处于熔融状态的扩散剂中，使薄膜层在200℃～700℃的温度下被加热以使锂离子扩散到薄膜层中。

6.根据权利要求 1所述的方法，其中，所述方法还包括在对薄膜层加热的步骤之前，对薄膜层进行表面抛光处理，和/或在对薄膜层加热的步骤之后，对薄膜层进行表面抛光处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在目标基板上涂覆有二氧化硅层或者涂覆有电极层和二氧化硅层，并且使二氧化硅层与原始基板的薄膜层接触，以形成键合体；或者在原始基板的薄膜层的表面上涂覆有电极层和二氧化硅层，并且使二氧化硅层与目标基板接触，以形成键合体。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在对键合体进行加热的步骤中，在真空条件下或在大于1个大气压且小于300个大气压的气氛下对键合体进行加热使得薄膜层和余质层分离。