[发明专利]导纳型失磁保护装置的校验方法及系统

权利要求书

1.一种导纳型失磁保护装置的校验方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.转换模块将设计整定的失磁保护导纳标幺值转换成导纳有名值，再将导纳有名值对应的导纳轨迹转换为阻抗平面内的阻抗轨迹；

S2.根据所述转换模块提供的阻抗轨迹设置校验装置的试验参数和试验接线以使所述校验装置自动输出电压和电流给导纳型失磁保护装置；

S3.所述导纳型失磁保护装置根据输入的电压和电流触发失磁保护动作并向所述校验装置反馈动作点阻抗值；

S4.所述校验装置记录所接收到的动作点阻抗值并在坐标平面内生成动作点阻抗轨迹。

2.根据权利要求1所述校验方法，其特征在于，在所述步骤S4之后还包括以下步骤：

S5.导出所述校验装置记录的阻抗值数据和位于坐标平面的动作点轨迹；

S6.将所述校验装置记录的动作阻抗点轨迹与所述转换模块提供的阻抗轨迹相比较，以验证所述导纳型失磁保护装置的保护动作值是否满足实际的设计要求。

3.根据权利要求1所述校验方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括以下操作：

S11、根据设计整定的导纳标幺值和所述导纳型失磁保护装置的基准值计算导纳有名值，其中导纳有名值＝导纳标幺值×基准值；

S12、根据导纳有名值计算阻抗值，其中阻抗值是导纳有名值的倒数；

S13、将失磁保护导纳平面内的导纳轨迹转换为阻抗平面内的阻抗轨迹。

4.根据权利要求1所述校验方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括以下操作：

S21、所述校验装置进入阻抗型失磁保护装置校验模式；

S22、根据所述转换装置提供的阻抗轨迹，通过所述校验装置设置阻抗圆的动作半径、阻抗圆心坐标以及试验点的间距和分布范围；

S23、将所述校验装置的电压和电流输出回路连接到所述导纳型失磁保护装置的电压和电流回路以使所述校验装置输出的电压和电流输入到所述导纳型失磁保护装置；

S24、将导纳型失磁保护动作接点连接到所述校验装置的开入端。

5.根据权利要求1所述校验方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括以下操作：

S31.所述导纳型失磁保护装置根据所述校验装置输入的电压和电流计算输入的导纳值；

S32.判断所述校验装置输入的导纳值是否在设计整定的导纳轨迹上，若是，则转步骤S33，否则返回步骤S32；

S33.所述导纳型失磁保护装置触发失磁保护动作并且将保护动作点阻抗值反馈给所述校验装置。

6.一种导纳型失磁保护装置的校验系统，包括校验装置和导纳型失磁保护装置，其特征在于，还包括转换模块；

所述转换模块用于将所述设计整定的失磁保护导纳定值对应的导纳轨迹转换成阻抗轨迹；

所述校验装置用于根据所述转换模块所转换来的阻抗轨迹设置试验参数，使所述校验装置的输出电压和电流与所述导纳型失磁保护装置相匹配；

所述导纳型失磁保护装置用于根据所述校验装置提供的校验电压和校验电流计算出校验导纳，并判断校验导纳是否在设计整定的导纳轨迹上，如果在则触发保护动作，否则不触发保护动作。

7.根据权利要求6所述校验系统，其特征在于，所述校验装置还用于记录所述导纳型失磁保护装置触发保护动作时反馈回来的动作点阻抗值和阻抗轨迹。

8.根据权利要求6所述校验系统，其特征在于，所述转换模块首先根据导纳标幺值计算导纳有名值，再将导纳有名值对应的导纳轨迹转换为阻抗轨迹；导纳轨迹为直线和/或射线，阻抗轨迹为圆和/圆弧。

9.根据权利要求6所述校验系统，其特征在于，所述校验装置输出的电流保持不变，通过自动改变输出电压来搜索失磁保护的动作值和动作轨迹。

10.根据权利要求6所述校验系统，其特征在于，所述校验装置设置的试验参数包括：阻抗圆的动作半径、阻抗圆心坐标以及试验点的间距和分布范围。