[发明专利]一种高速功率开关电路的阵列结构

权利要求书

1.一种高速功率开关电路的阵列结构，用于高压高重频脉冲源产生频率可调的高重频脉冲信号，其特征在于，所述的包括阵列结构包括依次连接的分时控制芯片、驱动芯片阵列、功率MOSFET开关阵列、脉冲合成器与负载电路，所述的分时控制芯片产生分时脉冲信号通过驱动芯片阵列分别驱动功率MOSFET开关阵列，再将功率MOSFET开关阵列产生的多路分时脉冲信号通过脉冲合成器合成，从而得到高重频、且频率可调的脉冲信号。

2.根据权利要求1所述的一种高速功率开关电路的阵列结构，其特征在于，所述的分时控制芯片产生多路分时脉冲信号，每一路信号连接功率MOSFET开关阵列中一个开关的驱动芯片。

3.根据权利要求1所述的一种高速功率开关电路的阵列结构，其特征在于，所述的驱动芯片阵列由多个驱动芯片组成，每个驱动芯片的输入端连接分时控制芯片，输出端连接功率MOSFET开关阵列中一个功率MOSFET开关的栅极。

4.根据权利要求3所述的一种高速功率开关电路的阵列结构，其特征在于，所述的功率MOSFET开关阵列由多个功率MOSFET开关组成，每一个功率MOSFET开关的源级通过串接二极管D1连接到电源电压，漏极通过串接二极管D2连接到脉冲合成器的输入，其中二极管D1的正极连接电源电压，负极连接MOSFET开关的源级，所述的二极管D2正极连接MOSFET开关的漏极，负极连接脉冲合成器的输入。

5.根据权利要求4所述的一种高速功率开关电路的阵列结构，其特征在于，所述的脉冲合成器将多个功率MOSFET开关所产生的脉冲信号合成，形成高重复频率的脉冲信号，脉冲合成器的输出连接到负载电路。

6.根据权利要求4所述的一种高速功率开关电路的阵列结构，其特征在于，所述的负载电路由负载电阻和负载电容并联而成，一端接脉冲合成器，另一端接地。