[发明专利]SRAM版图的生成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种SRAM版图的生成方法。

背景技术

SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存储记忆体)是一种只要供电就保持数据的半导体存储器。SRAM具有低功耗、数据存取速度快且与CMOS逻辑工艺兼容等优点，广泛应用于各种电子器件中。因此，SRAM是任何一个半导体逻辑制程都不可缺少的部分。

基本的SRAM单元由两个交叉耦合的反相器和两个存取晶体管(通常为NMOS晶体管)构成，属于一个典型的六晶体管SRAM(6T SRAM)。具体的，SRAM可划分为第一反相器(Inverter)、第二反相器和两个NMOS晶体管(简称为NPASS)，其中第一反相器由第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管组成，第二反相器由第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管组成，加上两个NMOS晶体管一共由六个晶体管(Transistor)组成。

传统SRAM版图的生成方法是通过软件分别对每一个晶体管进行生成，然后组合成SRAM。虽然传统SRAM版图的生成方法可以满足目前SRAM版图的设计要求，但是由于SRAM中有6个晶体管，并且每个晶体管均有多个尺寸需要定义，例如栅极尺寸、有源区尺寸、以及注入层和阱层的尺寸均需要定义，因此，传统的SRAM版图的生成方法效率不高，尤其当SRAM需要对尺寸进行修改的时候，需要改动的尺寸较多，这样人为操作经常会对SRAM版图的生成产生不必要的错误，并且耗费大量的时间和精力。

发明内容

本发明的目的在于提供一种SRAM版图的生成方法，能够归类相同的参数，实现SRAM版图的自动生成，提高效率。

为了实现上述目的，本发明提出了一种SRAM版图的生成方法，包括步骤：

定义第一反相器栅极的形状和尺寸；

由所述第一反相器栅极的形状和尺寸定义出第一反相器中的第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管有源区的形状和尺寸；

定义第一输入端NMOS栅极的形状和尺寸；

以所述第一输入端NMOS栅极的形状和尺寸定义出所述第一输入端NMOS有源区的形状和尺寸；

以所述第一输入端NMOS有源区的形状和尺寸定义出第一注入层和第一阱层的形状和尺寸；

使所述第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的漏极连接在一起，使所述第一输入端NMOS和第一NMOS晶体管的有源区连接在一起，并且使所述第一输入端NMOS和第一NMOS晶体管的漏极也连接在一起，从而构成第一单元；

复制所述第一单元，旋转180度，形成第二单元；

使所述第一单元中的第一PMOS晶体管漏极和第二单元中的第二反相器栅极相连，使所述第二单元中的第二PMOS晶体管漏极和第一单元中的第一反相器栅极相连，从而生成SRAM版图。

进一步的，所述第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的漏极通过通孔连线和金属连线连接在一起。

进一步的，所述第一输入端NMOS和第一NMOS晶体管的漏极通过通孔连线连接在一起。

进一步的，所述第一单元中的第一PMOS晶体管漏极和第二单元中的第二反相器栅极通过通孔连线相连。

进一步的，所述第二单元中的第二PMOS晶体管漏极和第一单元中的第一反相器栅极通过通孔连线相连。

进一步的，所述通孔连线均通过金属连线引出。

与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在：先形成第一单元，然后复制第一单元形成第二单元，连接第一单元和第二单元构成SRAM，把SRAM中相同的参数归类，可以实现SRAM版图的自动生成，从而能够高效完成不同尺寸大小SRAM版图的实现，简化SRAM版图的设计，从而降低人工设计版图过程中产生的错误率，并缩短SRAM版图实现时间。

附图说明

图1为本发明一实施例中SRAM版图的生成方法的流程图；

图2为本发明一实施例中第一单元的结构示意图；

图3为本发明一实施例中SRAM版图的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的SRAM版图的生成方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。