[发明专利]一种电喷雾微流体芯片、制作方法及掩膜版设备

权利要求书

1.一种电喷雾微流体芯片的制作方法，其特征在于,包括以下步骤：

a.在基片上覆盖第一光刻胶层，通过第一掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光，曝光后进行显影，去除被所述掩膜版遮挡而未曝光的光刻胶部分，其中所述第一掩膜版具有用于形成微流体芯片内的储液池及微流道的透光区域；

b.在经显影的所述第一光刻胶层上进一步覆盖光刻胶层，通过第二掩膜版对所述进一步覆盖的光刻胶层进行曝光，曝光后进行显影，去除被所述第二掩膜版遮挡而未曝光的光刻胶部分，形成凹槽，所述凹槽内具有因经所述第一掩膜版的透光区域曝光而被保留的所述第一光刻胶层的剩余部分，其中所述第二掩膜版的覆盖区域与所述第一掩膜版的覆盖区域相同或处于所述第一掩膜版的覆盖区域内，且所述第二掩膜版对应于所述第一掩膜版的用于形成所述微流道的透光区域的区域是不透光的或透光的或部分透光的；

c.以经步骤b处理的基片为模固化形成高聚物母材，从所述高聚物母材上获取芯片层，所述芯片层包括由所述凹槽界定的芯片部分，所述芯片部分含有由所述剩余部分界定的储液池及微流道；

d.将另一高聚物层与所述芯片层粘结在一起，形成内部具有微流道的微流体芯片。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于,所述第一掩膜版和所述第二掩膜版在对应的位置上具有直角，所述第一掩膜版的用于形成所述微流道的透光区域对着所述第一掩膜版的直角延伸，且至少延伸到所述第一掩膜版的对应于所述第二掩膜版的直角的角尖的位置。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于,所述第一掩膜版和所述第二掩膜版为矩形。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于,所述第一掩膜版和所述第二掩膜版在对应的位置上透光，以在在经显影的所述第一光刻胶层上方设置所述第二掩膜版时提供定位标记。

5.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于,所述第一掩膜版和所述第二掩膜版在其矩形的除所述直角外的其他三个直角的位置上透光，以在在经显影的所述第一光刻胶层上方设置所述第二掩膜版时提供定位标记，优选地，透光的形状为十字形。

6.如权利要求1至5任一项所述的制作方法，其特征在于,步骤b中采用旋转甩胶方式覆盖光刻胶层，通过重复多次的甩胶、曝光和显影来使所述凹槽达到预定的深度。

7.如权利要求1至6任一项所述的制作方法，其特征在于,步骤d中，固化形成的高聚物母材具有基座部分和由所述凹槽界定的芯片部分，所述芯片部分为一体成型于所述基座部分上的凸台层，所述按照所述芯片部分的垂直投影轮廓以留有一定余量的方式对所述基座部分进行切割，得到所述芯片层。

8.一种使用权利要求1至7所述的方法制作的电喷雾微流体芯片，其特征在于,所述电喷雾微流体芯片内的微流道的出口在所述电喷雾微流体芯片的一个直角上。

9.如权利要求8所述的电喷雾微流体芯片，其特征在于,所述电喷雾微流体芯片以高聚物材料为主体材料，优选的所述高聚物材料为聚二甲基硅氧烷。

10.一种用于电喷雾微流体芯片的掩膜版设备，其特征在于,包括第一掩膜版和第二掩膜版，所述第一掩膜版具有用于形成微流体芯片内的储液池及微流道的透光区域，所述第二掩膜版的覆盖区域小于所述第一掩膜版的覆盖区域，且所述第二掩膜版对应于所述第一掩膜版的用于形成所述微流道的透光区域的区域是不透光的或透光的或部分透光的，优选地，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版在对应的位置上具有直角，所述第一掩膜版的用于形成所述微流道的透光区域对着所述第一掩膜版的直角延伸，且至少延伸到所述第一掩膜版的对应于所述第二掩膜版的直角的角尖的位置，更优选地，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版为矩形，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版在其矩形的除所述直角外的其他三个直角的位置上透光，以在在经显影的所述第一光刻胶层上方设置所述第二掩膜版时提供定位标记，更优选地，透光的形状为十字形。