[发明专利]一种采用双侧墙工艺形成超低尺寸图形的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地涉及一种自对准的形成超精细特征尺寸图形的方法。更具体地说，本发明涉及一种采用双侧墙工艺形成超低尺寸图形的方法。

背景技术

超大规模集成电路的特征尺寸按照摩尔定律的发展，已经发展到20纳米及以下的特征尺寸，以便在更小面积上增加半导体器件的容量并降低成本，形成具有更好的性能，更低的功耗的半导体器件。每个器件的特征尺寸的收缩需要更复杂的技术。光刻法是常用的将器件及电路图案转移到衬底上的方法，线的宽度和间距是光刻工艺中最为关键的两个参数。间距被定义为两个相邻线的相同点之间的距离。由于各种因素，如光学和光的波长等物理限制，现有的光刻技术具有最小间距在20纳米以下已不能满足集成电路的需求，低于该特定光刻技术极限的特征尺寸的图形已不能通过现有的光刻技术形成。因此，找到一种利用现有光刻技术同时又能满足特征尺寸需求的方法就非常重要。

自对准的二次图形方法是近年来被广泛研究并极有可能大规模生产的图形转移技术，通过该方法，能够满足20纳米以下的图形转移需求，不受到光刻工艺的物理及设备极限的限制。

但是自对准的二次图形方法得到的隔离物的宽度(共形层的厚度)是唯一的，这样得到的图形的尺寸也是唯一的，但是在实际的集成电路应用中，特别是在逻辑电路、SRAM电路中，要求有不同特征尺寸的有源区，不同特征尺寸的栅极等。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够采用双侧墙工艺形成超低尺寸图形的方法。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种采用双侧墙工艺形成超低尺寸图形的方法，其包括：首先用一层掩模版进行第一次光刻并刻蚀掩模层(非晶碳牺牲层)形成具有第一特征尺寸(该尺寸接近光刻的物理极限)的图形；接着在该图形上沉积一层薄膜材料，形成均匀覆盖掩模图形的侧墙，侧墙上薄膜的厚度为第一厚度；进行第二次光刻并刻蚀，光刻胶覆盖一部分材料，将暴露的部分的薄膜材料减薄到具有第二厚度的侧墙；去除光刻胶，形成具有两种厚度侧墙的图形；各向异性的刻蚀薄膜材料，将掩模层顶部和底部的薄膜薄膜材料去除，只留下侧壁上的薄膜；灰化工艺选择性的去除硬掩模(牺牲层)，只留下材料形成的侧墙；薄膜材料作为刻蚀的掩模进行刻蚀，形成具有两种尺寸的超精细图形，并且尺寸的大小接近于侧墙的第一厚度和第二厚度。

在一个实施例中，在硅衬底中形成图案化的浅沟槽的方法包括：在硅衬底上形成氮化硅，并在氮化硅上形成掩模层(牺牲层)，并采用光刻工艺形成具有第一特征尺寸的掩模图形；该方法进一步包括在上述图形上覆盖一层二氧化硅形成共形层，形成均匀覆盖掩模图形的侧墙，侧墙上薄膜的厚度为第一厚度；紧接行第二次光刻并刻蚀，光刻胶覆盖一部分二氧化硅共形层，将暴露的部分的共形层减薄到具有第二厚度的侧墙；各向异性的刻蚀薄膜材料，将牺牲层顶部和底部的薄膜材料去除，只留下侧壁上的薄膜；采用氧气灰化工艺去处暴露在表面的掩模层(牺牲层)；采用干法刻蚀刻蚀遗留下来的共形层，并作为硬掩模刻蚀氮化硅和硅衬底，形成浅沟槽，最后得到的浅沟槽隔离的有源区的尺寸有两种，第一尺寸接近于第一厚度，第二尺寸接近于第二厚度。

在另一实施例中在衬底上形成图案化的多晶硅栅的方法包括：形成二氧化硅栅介质层，形成多晶硅栅，并在多晶硅栅上形成掩模层(牺牲层)，并采用光刻工艺形成具有第一特征尺寸的掩模图形；该方法进一步包括在上述图形上覆盖一层二氧化硅形成共形层，形成均匀覆盖掩模图形的侧墙，侧墙上薄膜的厚度为第一厚度；紧接行第二次光刻并刻蚀，光刻胶覆盖一部分二氧化硅共形层，将暴露的部分的共形层减薄到具有第二厚度的侧墙；各向异性的刻蚀二氧化硅共形层，将牺牲层顶部和底部的二氧化硅去除，只留下侧壁上的薄膜；采用氧气灰化工艺去处暴露在表面的掩模层(牺牲层)；采用干法刻蚀刻蚀遗留下来的共形层，并作为硬掩模刻蚀多晶硅栅和栅介质层，形成栅极结构，最后得到的栅极结构的尺寸有两种，第一尺寸接近于第一厚度，第二尺寸接近于第二厚度。

通过本发明，可以通过增加一次光刻形成具有两种厚度的隔离物；而且，通过这种方法，可以一次性刻蚀出两种特征尺寸的图形，甚至可以无限制增加光刻次数形成各种厚度的隔离物隔离物，得到更多不同的特征尺寸的图形，满足集成电路的实际需求，对SADP的大规模应用有重要意义。