[发明专利]离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法无效
| 申请号： | 201410254077.1 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN103996617A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 宋振伟;徐友峰;陈晋 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 注入 工艺 光刻 去除 方法 | ||
1.一种离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法，用于将离子注入工艺后的光刻胶层去除，所述光刻胶层包括：交联层和位于交联层下方的剩余光刻胶层，其特征在于，包括：
紫外光照射步骤，用于对所述交联层进行照射，改变所述交联层的性质；湿法清洗步骤，对改变性质后的交联层和剩余光刻胶层进行清洗以从半导体衬底的表面去除。
2.如权利要求1所述的离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法，其特征在于，所述紫外光照射的波长范围为254-300纳米。
3.如权利要求1所述的离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法，其特征在于，所述光能密度范围为25-28毫瓦每平方厘米。
4.如权利要求1所述的离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法，其特征在于，所述光剂量大于3焦每平方厘米。
5.如权利要求1所述的离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法，其特征在于，所述湿法清洗步骤利用槽式湿法刻蚀工艺进行。
6.如权利要求1所述的离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法，其特征在于，所述湿法清洗步骤利用SPM溶液进行。所述SPM溶液包括硫酸和双氧水，所述硫酸和双氧水的体积比例为4：1-6：1。
7.如权利要求1所述的离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法，其特征在于，所述湿法清洗步骤的温度室125-130摄氏度，工艺时间为5-10分钟。
8.如权利要求1所述的离子注入后的光刻胶层的去除方法，其特征在于，还包括:
在所述湿法清洗步骤之后，对所述半导体衬底进行SC1清洗的步骤，所述SC1清洗步骤利用NH4OH、H2O2、H2O的混合溶液进行。
9.如权利要求8所述的离子注入后的光刻胶层的去除方法，其特征在于，NH4OH、H2O2、H2O的溶液的比例范围为1:1:5～1:2:7。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
