[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于其包括：

一导电层；

一导孔；以及

一阻障层，设置在该导电层与该导孔之间，该阻障层填塞有氧。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中所述导电层包括互连线。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中所述阻障层是由包括氮化钛的一单层所组成。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中所述阻障层是由以下二者所组成：

一第一阻障层，设置在该导电层上，该第一阻障层包括钛；以及

一第二阻障层，设置在该第一阻障层上，并设置在该导孔下，该第二阻障层包括氮化钛。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中所述氧是填塞在该阻障层的晶界上。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其还包括：

一层间介电质，设置在该导电层上，该层间介电质具有一开口，该开口暴露出该导电层的一部分，

其中，该阻障层接触该导电层暴露出的该部分，该导孔设置在该开口中。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中所述导电层是由铜制成，该导孔是由钨制成，该阻障层包括一氮化钛层，该氮化钛层的晶界填塞有氧。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于其中所述阻障层还包括一钛层，设置在该导电层与该氮化钛层之间。

9.一种半导体结构的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

形成一阻障层于一导电层上；

以氧填塞该阻障层；以及

形成一导孔于填塞有氧的该阻障层上。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于其中在以氧填塞该阻障层的步骤中，压力是控制在6torr至10torr，并以25sccm至85sccm的流速提供氧，维持10秒至60秒。