[发明专利]存储器和包括存储器的存储模块有效
申请号: | 201410254358.7 | 申请日: | 2014-06-10 |
公开(公告)号: | CN104681070B | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 宋清基 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C8/18;G11C11/4093 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 包括 存储 模块 | ||
一种存储单元,包括:第一数据传送/接收单元,适于经由用于与主机通信的第一数据总线来传送/接收数据;第二数据传送/接收单元,适于经由用于数据备份的第二数据总线来传送/接收数据;以及控制单元,适于根据主机中是否发生电力故障来控制第一数据传送/接收单元和第二数据传送/接收单元是被激活还是被去激活。
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年11月27日提交的申请号为10-2013-0145207的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种存储单元、存储模块和存储器件。
背景技术
存储模块通常适用于在数据处理系统中储存数据,数据处理系统诸如个人计算机(PC)、工作站、服务器计算机、通信系统等。数据处理系统具有在其中的模块板上的多个存储芯片。
存储模块的代表性类型包括:带寄存器的双列直插式存储模块(Registered DualIn-Line Memory Module,RDIMM)和低负载的双列直插式存储模块(Load-Reduced DualIn-Line Memory Module,LRDIMM)。以下参照图1和图2来描述这些。
图1说明典型的RDIMM型存储模块100。图1也示出主机中的存储器控制器1,其将数据传送至存储模块100和从存储模块1000接收数据,以及将用于控制存储模块100的地址ADDR、时钟CLK和命令CMD提供给存储模块100。
参见图1,RDIMM型存储模块100包括寄存器110和存储单元120_0至120_7。寄存器110缓冲并传送来自存储器控制器1的命令CMD、地址ADDR和时钟CKL至存储单元120_0至120_7。数据直接在存储器控制器1和存储单元120_0至120_7之间传送,而没有寄存器110的介入。
图2说明典型的LRDIMM-型的存储模块200。图2也示出主机中的存储器控制器2,其将数据传送至存储模块200和从存储模块200中接收数据,以及将用于控制存储模块200的地址ADDR、时钟CLK和命令CMD提供给存储模块200。
参见图2,LRDIMM型存储模块200包括存储缓冲器210和存储单元220_0至220_7。存储缓冲器210缓冲并传送来自存储器控制器2的命令CMD、地址ADDR和时钟CLK至存储单元220_0至220_7。此外,存储缓冲器210缓冲并传送存储器控制器2和存储单元220_0至220_7之间的数据。与图1中所示的寄存器110相比,存储缓冲器210具有缓冲并传送存储器控制器2和存储单元220_0至220_7之间的数据的额外功能。
利用具有缓冲数据的额外功能的存储缓冲器210,LRDIMM型存储模块200与RDIMM型存储块100相比,可以允许/支持更多个逻辑等级、实现更快的响应速率、以及更低的功耗。在系统具有巨大的内部存储容量时,LRDIMM型存储模块200的优势会是显著的。然而,LRDIMM型存储模块200具有高制造成本的缺点,比RDIMM型存储模块100的制造成本高20%。
发明内容
本发明的实施例涉及包括存储器件的存储单元和存储模块,所述存储器件可以采用低制造成本来处理电力故障。
根据本发明的一个实施例,一种存储单元可以包括:第一数据传送/接收单元,适于经由用于与主机通信的第一数据总线来传送/接收数据;第二数据传送/接收单元,适于经由用于数据备份的第二数据总线来传送/接收数据;以及控制单元,适于根据主机中是否发生电力故障来控制第一数据传送/接收单元和第二数据传送/接收单元被激活还是被去激活。
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