[发明专利]一种声表面波葡萄糖传感器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201410254858.0 申请日: 2014-06-04
公开(公告)号: CN103995050A 公开(公告)日: 2014-08-20
发明(设计)人: 罗景庭;范平;张东平;郑壮豪;梁广兴 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: G01N29/036 分类号: G01N29/036
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 表面波 葡萄糖 传感器 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种声表面波葡萄糖传感器,其特征在于,包括单基片双路声表面波传感器和外围差分电路;其中,所述单基片双路声表面波传感器是在一个基片上同时制作检测传感器和参比传感器,检测传感器的输入和输出换能器之间涂覆对葡萄糖具有高度特异性的葡萄糖氧化酶,形成敏感区,参比传感器的输入和输出换能器之间不涂覆葡萄糖氧化酶,其主要作用是减少外界环境引起的误差;所述声表面波葡萄糖传感器采用压电材料作为基片,基片上制作两对输入和输出换能器,构成检测和参比传感器;所述声表面波传感器包括延迟线型和谐振型声表面波传感器;所述外围差分电路用于获得检测传感器和参比传感器之间的比较差分信号,通过定量分析差分信号就可以检测出葡萄糖含量。

2.根据权利要求1所述的声表面波葡萄糖传感器,其特征在于,所述声表面波葡萄糖传感器采用压电材料作为基片,所述压电材料为压电块体和压电薄膜。

3.根据权利要求2所述的声表面波葡萄糖传感器,其特征在于,所述压电块体为铌酸锂、钽酸锂、PZT、石英等压电块体材料。

4.根据权利要求2所述的声表面波葡萄糖传感器,其特征在于,所述压电薄膜为ZnO、AIN、PZT、PVDF、铌酸锂、钽酸锂等压电薄膜。

5.根据权利要求1所述的声表面波葡萄糖传感器,其特征在于,所述声表面波传感器包括延迟线型和谐振型声表面波传感器。

6.根据权利要求1所述的声表面波葡萄糖传感器,其特征在于,在一个基片上同时制作检测传感器和参比传感器,检测传感器上涂覆对葡萄糖具有特异性的葡萄糖氧化酶。

7.根据权利要求1所述的声表面波葡萄糖传感器,其特征在于,所述差分信号包括频率、相位、延迟时间等。

8.一种声表面波葡萄糖传感器的制作方法,其特征在于,包括:制作压电材料;在所述的压电材料上制作声表面波检测传感器和参比传感器;在所述的检测传感器的输入和输出换能器之间涂覆葡萄糖氧化酶,形成敏感区,将所述声表面波葡萄糖传感器连接外围差分电路。

9.根据权利要求8所述的声表面波葡萄糖传感器的制作方法,其特征在于,所述压电材料为压电块体(铌酸锂、钽酸锂、PZT、石英等压电块体材料)和压电薄膜(ZnO、AIN、PZT、PVDF、铌酸锂、钽酸锂等压电薄膜)。

10.根据权利要求8所述的声表面波葡萄糖传感器的制作方法,其特征在于,在所述的检测传感器的输入和输出换能器之间涂覆对葡萄糖具有特异性的葡萄糖氧化酶,通过物理吸附或化学交联的方法固定葡萄糖氧化酶,形成敏感区。

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