[发明专利]一种确定SRAM电性能目标的仿真方法

权利要求书

1.一种确定SRAM电性能目标的仿真方法，包括：

步骤S101，定义SRAM的电性能目标值作为所述仿真模拟的初始参数，将所述初始参数输入仿真软件；

步骤S102，在至少三种极限条件下进行仿真模拟，以分别获得读取静态噪声容限、动态写容限和动态读出电流的正态分布，其中，所述极限条件包括：慢NMOS慢PMOS、快NMOS快PMOS、快NMOS慢PMOS、慢NMOS快PMOS；

步骤S103，从所述正态分布分别获得所述读取静态噪声容限、动态写容限和读出电流的平均值和西格玛值；

步骤S104，在所述读取静态噪声容限、动态写容限和读出电流的3个西格玛中选择最小的西格玛值，查良率和西格玛值表格，获得所述SRAM的仿真良率数据；

步骤S105，将所述仿真良率数据与良率标准进行比对，判断所述良率数据是否大于或等于良率标准；

如果是，则进行步骤S106，仿真模拟结束。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电性能目标值包括Vt/Idsat的目标值和器件局部失配条件。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，如果所述仿真良率数据小于所述良率标准，则返回重新优化所述电性能目标值后，重复执行所述步骤S102、步骤S103、步骤S104、步骤S105和步骤S106。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述仿真软件为Hspice。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述仿真模拟为蒙特卡罗频率大于10000或者高西格玛的蒙特卡罗仿真模拟。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三种极限条件包括：

在快NMOS慢PMOS，T＝125℃的条件下，进行读功能操作的仿真；

在慢NMOS快PMOS，T＝-40℃的条件下，进行写功能操作的仿真；

在慢NMOS慢PMOS，T＝125℃的条件下，进行动态读功能操作的仿真。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述仿真方法适用于内部SRAM的良率仿真预测。