[发明专利]一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法

权利要求书

1.一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法具体是按以下步骤完成的：

一、钛合金TC4前处理：首先依次使用60#干砂纸、240#水磨砂纸和400#的水磨砂纸对钛合金TC4进行打磨处理，然后使用NaOH溶液去除钛合金TC4表面的油，再用蒸馏水清洗，电吹风吹干，得到处理后的钛合金TC4；

步骤一所述的NaOH溶液由NaOH和蒸馏水混合而成，且所述的NaOH的质量与蒸馏水的体积比为(8g～10g):1L；

二、微弧氧化：将处理后的钛合金TC4置于不锈钢的电解液中，钛合金TC4与电源的正极相连接，作为阳极，不锈钢电解槽与电源的负极相连接，作为阴极；采用脉冲微弧氧化电源供电，在电流密度为6A/dm²～14A/dm²、电源频率为50Hz～500Hz、占空比为10％～45％，电解液的温度为20℃～40℃和电解液的pH值为0.54～7.88的条件下微弧氧化反应3min～70min，得到钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层；

步骤二所述的电解液由主成膜剂和辅助成膜剂组成，溶剂为水；所述的电解液中主成膜剂的浓度为3g/L～8g/L，辅助成膜剂的浓度为0.3g/L～10g/L。

2.一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于步骤一所述的NaOH的质量与蒸馏水的体积比为10g:1L。

3.一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于步骤二中将处理后的钛合金TC4置于不锈钢的电解液中，钛合金TC4与电源的正极相连接，作为阳极，不锈钢电解槽与电源的负极相连接，作为阴极；采用脉冲微弧氧化电源供电，在电流密度为8A/dm²～14A/dm²、电源频率为100Hz～500Hz、占空比为20％～45％，电解液的温度为20℃～40℃和电解液的pH值为0.54～1的条件下微弧氧化反应3min～4.5min。

4.一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于步骤二中将处理后的钛合金TC4置于不锈钢的电解液中，钛合金TC4与电源的正极相连接，作为阳极；不锈钢电解槽与电源的负极相连接，作为阴极，采用脉冲微弧氧化电源供电，在电流密度为8A/dm²～12A/dm²、电源频率为300Hz～500Hz、占空比为10％～35％，电解液的温度为20℃～40℃和电解液的pH值为0.54～1的条件下微弧氧化反应61min～70min。

5.一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于步骤二中将处理后的钛合金TC4置于不锈钢的电解液中，钛合金TC4与电源的正极相连接，作为阳极；不锈钢电解槽与电源的负极相连接，作为阴极，采用脉冲微弧氧化电源供电，在电流密度为10A/dm²～14A/dm²、电源频率为400Hz～500Hz、占空比为10％～15％，电解液的温度为20℃～40℃和电解液的pH值为1～5的条件下微弧氧化反应20min～55min。

6.一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于步骤二所述的主成膜剂为氟锆酸钾。

7.一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于步骤二所述的辅助成膜剂为磷酸二氢钠、磷酸、次亚磷酸钠、六偏磷酸钠、多聚磷酸钠、磷酸氢二钠和磷酸三钠中的一种或其中几种的混合物。

8.一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于步骤二所述的电解液中主成膜剂的浓度为4g/L～6g/L，辅助成膜剂的浓度为0.3g/L～0.4g/L。

9.一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于步骤二所述的电解液中主成膜剂的浓度为3g/L～4g/L，辅助成膜剂的浓度为2g/L～4g/L。

10.一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，其特征在于步骤二所述的电解液中主成膜剂的浓度为3g/L～8g/L，辅助成膜剂的浓度为3g/L～5g/L。