[发明专利]区域光子晶体发光二极管器件有效
| 申请号： | 201410255914.2 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN104009139A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 王璨璨;孙智江 | 申请（专利权）人： | 海迪科（南通）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226500 江苏省南通市如*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 区域 光子 晶体 发光二极管 器件 | ||
1.一种区域光子晶体发光二极管器件，其特征在于：包括衬底（7）、设置在所述的衬底（7）上的n型GaN层（6）、设置在所述的n型GaN层（6）上的n型电极（5）与量子阱发光层（8）、设置在所述的量子阱发光层（8）上的p型GaN层（9）、设置在所述的GaN层（9）上的透明导电层（4）、以及设置在所述的透明导电层（4）上的p型电极（1），所述的p型电极（1）下方的透明导电层（4）上制作有用于将入射光线反射的反射光子晶体结构（2）与用于将入射光线透射的透射光子晶体结构（3），其中，所述的反射光子晶体结构（2）位于p型电极（1）的底部，所述的透射光子晶体结构（3）位于p型电极（1）的底部周围。
2.根据权利要求1所述的区域光子晶体发光二极管器件，其特征在于：所述的反射光子晶体结构（2）、透射光子晶体结构（3）为凹陷结构或凸起结构，所述的透射光子晶体结构（3）的尺寸大于反射光子晶体结构（2）的尺寸。
3.根据权利要求2所述的区域光子晶体发光二极管器件，其特征在于：所述的反射光子晶体结构（2）、透射光子晶体结构（3）为直径200-400nm、刻蚀深度100-300nm的凹陷结构。
4.根据权利要求1所述的区域光子晶体发光二极管器件，其特征在于：所述的透射光子晶体结构（3）环绕p型电极（1）的范围为p型电极（1）半径的1.5倍。
5.根据权利要求1所述的区域光子晶体发光二极管器件，其特征在于：所述的反射光子晶体结构（2）、透射光子晶体结构（3）在透明导电层（4）上呈正方晶格排列。
6.根据权利要求1所述的区域光子晶体发光二极管器件，其特征在于：所述的反射光子晶体结构（2）、透射光子晶体结构（3）在透明导电层（4）上呈三角晶格排列。
7.根据权利要求1所述的区域光子晶体发光二极管器件，其特征在于：所述的反射光子晶体结构（2）、透射光子晶体结构（3）在透明导电层（4）上呈蜂窝晶格排列。
8.根据权利要求1所述的区域光子晶体发光二极管器件，其特征在于：所述的反射光子晶体结构（2）、透射光子晶体结构（3）在透明导电层（4）上呈光子准晶晶格排列。
9.根据权利要求5或6或7或8所述的区域光子晶体发光二极管器件，其特征在于：所述的反射光子晶体结构（2）、透射光子晶体结构（3）的排列的晶格间距范围为100-600nm。
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