[发明专利]切换控制器

权利要求书

1.一种切换器，所述切换器包括：

串联的偶数个晶体管，所述偶数个晶体管的各晶体管具有源极、漏极和栅极，每两个相继的晶体管限定一个晶体管对，所述晶体管的数量为至少4个；以及

偏置网络，所述偏置网络包括:

控制线；

为各晶体管对设置的第一连接件,所述第一连接件包括连接两个晶体管的栅极的第一节点，所述第一连接件包括两个第一级电阻器，所述两个第一级电阻器具有相同的电阻，并且串联设置在晶体管对的栅极之间；

以及为两个晶体管对设置的第二连接件，所述第二连接件包括连接所述第一节点的第二节点，所述第二节点耦合至所述控制线；

其中所述第二节点和各第一节点之间的各第二连接件包括具有相同电阻的第二级电阻器。

2.根据权利要求1所述的切换器，其中，所述偏置网络是对称的，

其中，一半数量的所述晶体管在对称线的一侧，而另一半数量的所述晶体管在所述对称线的另一侧，以及

其中，通过所述偏置网络、从直流控制器至位于距所述对称线相同距离处的任意两个晶体管的电通路是拓扑等价的。

3.根据权利要求1所述的切换器，还包括设置在所述控制线和直流控制器之间的第三级电阻器。

4.根据权利要求1所述的切换器，还包括为各晶体管设置的梯形电阻器，所述梯形电阻器在所述晶体管的源极和漏极之间与所述晶体管并联连接。

5.根据权利要求1所述的切换器，其中，对中央晶体管对而言，所述第一节点通过电容器连接至所述中央晶体管对的一晶体管的漏极以及所述中央晶体管对的另一晶体管的源极。

6.根据权利要求5所述的切换器，其中，对所述偶数个晶体管的第一晶体管对和第二晶体管对而言，所述第一晶体管对和第二晶体管对至所述中央晶体管对的距离相同并设置在所述中央晶体管对的相对侧，第一电容器将所述第一晶体管对的第一节点连接至所述第一晶体管对的一晶体管的漏极以及所述第一晶体管对的另一晶体管的源极，以及第二电容器将所述第二晶体管对的第一节点连接至所述第二晶体管对的一晶体管的漏极以及所述第二晶体管对的另一晶体管的源极。

7.根据权利要求1所述的切换器，其中，所述切换器被限定在互补式金属氧化物半导体(CMOS)中。

8.根据权利要求1所述的切换器，其中，所述切换器被限定在硅晶绝缘体芯片中。

9.一种射频装置，所述射频装置包括：

多个功率放大器；

天线；以及

天线切换器，所述天线切换器被配置为将所述多个功率放大器中的一个在某一时间耦合至所述天线，所述天线切换器包括为各功率放大器设置的串联切换器，其中所述串联切换器包括：

串联的偶数个晶体管，所述偶数个晶体管的各晶体管具有源极、漏极和栅极，每两个相继的晶体管限定一个晶体管对，所述

晶体管的数量为至少4个；以及

偏置网络，所述偏置网络包括：

控制线；

为各晶体管对设置的第一连接件,所述第一连接件包括连接两个晶体管的栅极的第一节点，所述第一连接件包括两个第一级电阻器，所述两个第一级电阻器具有相同的电阻，并且串联设置在晶体管对的栅极之间；

以及为两个晶体管对设置的第二连接件，所述第二连接件包括连接所述第一节点的第二节点，所述第二节点耦合至所述控制线；

其中，所述第二节点和各第一节点之间的各第二连接件包括具有相同电阻的第二级电阻器。

10.根据权利要求9所述的射频装置，其中，所述偏置网络是对称的，

其中，一半数量的所述晶体管在对称线的一侧，而另一半数量的所述晶体管在所述对称线的另一侧，以及

其中，通过所述偏置网络、从直流控制器至位于距所述对称线相同距离处的任意两个晶体管的电通路是拓扑等价的。