[发明专利]超薄塑封半导体元器件框架、元器件及其制备方法

权利要求书

1.一种超薄塑封半导体元器件框架，用于一个以上的芯片组装，其特征在于：所述框架上通过机械模压或腐蚀的方法形成一层以上用于容纳芯片的台阶，框架在台阶位置的厚度小于框架其他位置的厚度，同一台阶位置的厚度相同，不同台阶位置的厚度可以不相同。

2.根据权利要求1所述的超薄塑封半导体元器件框架，其特征在于：所述框架所用材料为铜合金。

3.一种超薄塑封半导体元器件，包括：

一权利要求1至2中任一项所述的超薄塑封半导体元器件框架；

一个以上的芯片，粘合在超薄塑封半导体元器件框架的台阶位置；

多个焊丝和引脚，焊丝一端连在芯片上，另一端与引脚连接；

塑封体，超薄塑封半导体元器件框架的全部或部分、芯片的全部、焊丝的全部和引脚的部分封装在塑封体中。

4.根据权利要求3所述的超薄塑封半导体元器件，其特征在于：所述框架位于塑封体以内、不会被芯片覆盖的部分设有多个通孔，所述通孔直径小于0.1mm。

5.根据权利要求4所述的超薄塑封半导体元器件框架，其特征在于：框架以其上塑封体厚的一面为正面，另一面为反面，所述通孔位于框架正面的一端直径小于位于框架反面的一端直径。

6.根据权利要求3所述的超薄塑封半导体元器件，其特征在于：所述引脚位于塑封体以内的部分设有多个通孔，所述通孔直径小于0.1mm。

7.权利要求5所述的超薄塑封半导体元器件的制备方法，其步骤包括：

a、将合适厚度的铜合金片材切成框架形状，清洁框架表面；

b、在框架不需要形成台阶的位置表面上均匀涂覆一层抗蚀液，将框架浸入腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀到预定厚度时取出，形成第一层台阶，其中腐蚀液的配方为：水中添质量分数为10~15%的FeCl₃、3~5%的CuCl₂和2~4%的HCl；

c、重复步骤b形成第二层或者更多层台阶；

d、用温度50~60℃，质量分数为4-8%的NaOH溶液喷淋框架表面以去除表面涂覆的抗蚀液，喷淋压力为2~3kg/cm²，然后用30~40℃的水喷淋框架表面；

e、在温度350-400℃下，将芯片置于框架的台阶位置上，芯片表面的背金层熔化，与框架台阶表面融合，形成欧姆接触；

f、将铜质焊接引线的一端焊接在芯片的焊区，另一端焊接在引脚上，形成芯片与引脚之间的焊丝；

g、将焊接后的框架整体放入浇注模具中，使框架、芯片、焊丝的全部及引脚与焊丝焊接的一端位于浇注腔内，再将由二氧化硅、环氧树脂、硅微粉组分的包封材料加热融化后注入浇注腔中，待其冷却固化后取出。

8.根据权利要求6所述的超薄塑封半导体元器件的制备方法，其特征在于：步骤c完成后，将框架整体和引脚全部涂覆一层抗蚀液，在框架不会被芯片覆盖的位置以及引脚将要被封装的一端将抗蚀液融化出一个个的细孔，细孔在框架正反面的位置一一对应，其中框架反面位置的细孔直径大于框架正面位置对应的细孔直径，然后将框架浸入腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀到通孔形成后取出，再进行步骤d。

9.根据权利要求6所述的超薄塑封半导体元器件的制备方法，其特征在于：步骤c完成后，将框架不会被芯片覆盖的位置及引脚将要被封装的一端用模具冲压出多个通孔，冲压出的通孔在框架正面一侧的直径小于在框架反面一侧的直径。