[发明专利]一种指导ALD制备氧化物半导体薄膜的光谱探测方法

权利要求书

1.一种指导ALD制备氧化物半导体材料的光谱探测技术，其包括以下其特征是采用如下具体步骤：

（1）    选用石英或蓝宝石为衬底。 三甲基铝(TMA)和水作为反应用金属源和氧源, 高纯氮气作为载气和动力气。 反应源通入真空腔体顺序如下: TMA通入腔体, 脉冲时间为15毫秒, 等待时间为5秒; 水通入腔体, 脉冲时间为15毫秒, 等待时间为5秒。 衬底温度为150℃~200℃。重复循环上述过程若干次，直至所需薄膜厚度为止。

（2）    将反应腔中的光通过光纤引出，使用近红外光谱仪测量吸收谱，检测CH₃/CH₄含量，判断反应进程，从而指导制备的Al₂O₃薄膜。

2.根据权利要求1所述的，本发明使用的近红外光谱技术可检测C-H，N-H，O-H，S-H，C=O等基团的有机物，几乎可以用于分析所有与含氢基团有关的样品物理和化学性质。

3.根据权利要求1所述的，本发明使用的近红外光谱技术可检测CH₃/CH₄含量，进而判定制备的Al₂O₃薄膜质量。

4.根据权利要求1所述的，本发明使用的近红外光谱技术，样品预处理简单或无需预处理，适用于各种固体、液体和气体样品分析，不破坏样品，属于非破坏性分析方法。