[发明专利]静电放电晶体管及其静电放电保护电路

权利要求书

1.一种静电放电晶体管，包括：

设置在基底中的重掺杂的集电极区；

垂直地设置在所述集电极区下方的下沉区；以及

在所述下沉区之下比所述下沉区水平地突出更远的埋层，

其中，所述埋层的掺杂浓度高于所述下沉区的掺杂浓度；以及

其中，所述重掺杂的集电极区、所述下沉区和所述埋层彼此具有相同的导电类型。

2.根据权利要求1所述的静电放电晶体管，还包括：

在所述基底的表面上的基极区；

设置在所述基极区中的基极接触区；以及

在所述基极区中与所述基极接触区隔开的发射极区。

3.根据权利要求2所述的静电放电晶体管，其中，至少两个集电极区、至少两个下沉区以及至少两个埋层分别地对称地设置在所述发射极区的两侧；以及

所述两个埋层朝着所述发射极区突出。

4.根据权利要求1所述的静电放电晶体管，其中，所述下沉区具有在10¹⁹/cm³至10²¹/cm³的范围内的N型掺杂剂浓度。

5.根据权利要求1所述的静电放电晶体管，还包括设置在所述集电极区之下的集电极扩展区。

6.根据权利要求2所述的静电放电晶体管，还包括：

设置在所述发射极区与所述基极接触区之间的第一绝缘膜；以及

设置在所述基极接触区与所述集电极区之间的第二绝缘膜。

7.根据权利要求2所述的静电放电晶体管，其中，所述基极区围绕所述发射极区和所述基极接触区。

8.根据权利要求2所述的静电放电晶体管，还包括围绕所述基极区的至少一个附加基极区。

9.根据权利要求1所述的静电放电晶体管，还包括：

与所述集电极区隔开的分接区；以及

在所述分接区之下的附加阱区。

10.根据权利要求9所述的静电放电晶体管，其中，通过与所述附加阱区相邻的另一阱区，在所述附加阱区和与所述附加阱区相邻的另一阱区之间形成静电放电二极管。

11.根据权利要求2所述的静电放电晶体管，还包括连接在设置在所述发射极区的上部部分处的发射极电极与设置在所述基极接触区的上部部分处的基极电极之间的电阻器。

12.根据权利要求1所述的静电放电晶体管，其中，所述静电放电晶体管为双极性结型晶体管。

13.根据权利要求2所述的静电放电晶体管，其中，所述静电放电晶体管配置成使得施加到所述集电极区的电流以穿过所述下沉区和所述埋层之后通过所述基极区朝着所述发射极区的U型路径流动。

14.一种静电放电晶体管，包括：

设置在基底中的集电极区；

设置在所述基底中的基极区；

设置在所述基极区中的基极接触区；

在所述基极区中与所述基极接触区隔开的发射极区；

垂直地设置在所述集电极区下方的下沉区；

与所述集电极区隔开的分接区；以及

在所述分接区之下的附加阱区。