[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)提供具有第一传导类型的半导体衬底；

(b)在所述步骤(a)之后，注入第二传导类型杂质并且在所述半导体衬底中形成第一半导体区域，所述第一半导体区域具有与所述第一传导类型相反的第二传导类型并且形成光电二极管的部分；

(c)在所述半导体衬底之上形成转移晶体管的栅极电极，所述转移晶体管转移所述光电二极管生成的电荷；

(d)注入第一传导类型杂质并且形成第二半导体区域，所述第二半导体区域具有所述第一传导类型并且形成所述光电二极管的另一部分，从而在所述第一半导体区域中包括所述第二半导体区域；

(e)在所述步骤(d)之后，向所述半导体衬底施加微波以加热所述半导体衬底；

(f)在所述步骤(e)之后，在所述半导体衬底中形成所述转移晶体管的漏极区域；

(g)在所述步骤(f)之后，使所述半导体衬底经受不小于800℃的温度处的热处理，以激活所述第一传导类型杂质和所述第二传导类型杂质；以及

(h)在所述步骤(g)之后，在所述半导体衬底之上形成层间绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述步骤(e)中，向所述半导体衬底施加所述微波以引起形成所述半导体衬底的硅晶体的晶格变化，并且因此加热所述半导体衬底，并且

其中在所述步骤(e)中使用的所述微波具有允许所述微波由所述硅晶体谐振地吸收的频率。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中所述微波的所述频率为5.8GHz。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述步骤(e)中使用的所述微波具有5至10kW的功率。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中在所述步骤(e)中使用所述微波来加热所述半导体衬底的时间为15至30分钟。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(i)在所述步骤(b)之后并且在所述步骤(d)之前，向所述半导体衬底施加微波以加热所述半导体衬底。

7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(j)在所述步骤(f)之后并且在所述步骤(h)之前，向所述半导体衬底施加微波以加热所述半导体衬底。

8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(j)在所述步骤(f)之后并且在所述步骤(h)之前，向所述半导体衬底施加微波以加热所述半导体衬底。

9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(k)在所述步骤(e)之后并且在所述步骤(f)之前，在所述第二半导体区域之上形成防反射膜。

10.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(l)形成延伸经过所述层间绝缘膜以到达所述漏极区域的接触孔；

(m)向所述接触孔填充导体膜以形成插塞；以及

(n)在所述步骤(m)之后，在所述层间绝缘膜之上形成互连层。

11.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括以下步骤：

(o)形成延伸经过所述层间绝缘膜以到达所述漏极区域的接触孔；

(p)向所述接触孔填充导体膜以形成插塞；

(q)在所述步骤(p)之后，在所述层间绝缘膜之上形成互连层；

(r)在所述步骤(q)之后，将支撑衬底附着到所述半导体衬底；以及

(s)在所述步骤(r)之后，研磨所述半导体衬底的背表面。