[发明专利]莱克多巴胺分子印迹SPR传感器芯片及其制备方法

权利要求书

1.莱克多巴胺分子印迹SPR传感器芯片，其特征在于，所述莱克多巴胺分子印迹SPR传感器芯片以莱克多巴胺分子印迹聚合物、石墨烯纳米金、1-辛基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐为芯片基底修饰物。

2.如权利要求1所述的莱克多巴胺分子印迹SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)、镀膜：

采用真空蒸发镀膜的方法，在玻璃片上先沉积1.5nm～2.5nm的铬，然后再沉积45nm～55nm的纯度为99.9999％的金，得到镀膜玻璃片；

2)、清洗：

将质量百分浓度为30％的H₂O₂与质量百分比浓度为98％的H₂SO₄的按体积比为1:3的比例混合均匀，得到洗液；然后用该洗液清洗步骤1)得到的镀膜玻璃片，再用去离子水清洗，最后用无水乙醇清洗，晾干后得到芯片基底；

3)、莱克多巴胺分子印迹聚合物纳米微球制备：

称取莱克多巴胺、甲基丙烯酸、二甲基丙烯酸乙二醇酯、偶氮二异丁腈加入到乙腈中，升温至60℃～65℃并保持18h～24h，将得到的产物加入模板去除剂中去除莱克多巴胺，然后干燥，得到莱克多巴胺分子印迹聚合物纳米微球；其中莱克多巴胺与甲基丙烯酸的物质的量比为1：3～5，莱克多巴胺与二甲基丙烯酸乙二醇酯的物质的量比为1：15～25，莱克多巴胺和引发剂的质量比为1：3～5，莱克多巴胺的质量与乙腈的体积的比为1g：20～40mL；

4)、称取步骤3)制备的莱克多巴胺分子印迹聚合物纳米微球、PF6、石墨烯纳米金混合液并加入到四氢呋喃中，用超声波混匀，得到镀膜液；其中步骤3)制备的莱克多巴胺分子印迹聚合物纳米微球的质量与PF6的体积的比为1mg：5～10μL，PF6与四氢呋喃的体积比为1：100～200，石墨烯纳米金混合液与四氢呋喃的体积比为1：100～200；

5)、将步骤4)制备的镀膜液滴在步骤2)制备的芯片基底中央，然后将芯片基底放在旋涂器上旋涂成膜，得到莱克多巴胺分子印迹SPR传感器芯片。

3.根据权利要求2所述的莱克多巴胺分子印迹SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于，

步骤3)中的模板去除剂为乙酸甲醇溶液(10～30：70，V:V)，用模板去除剂去除莱克多巴胺的方法为索氏提取法。

4.根据权利要求2所述的莱克多巴胺分子印迹SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于，

步骤4)中的石墨烯纳米金混合液的浓度为0.5mg/mL，溶剂为四氢呋喃，超声混匀。

5.根据权利要求2所述的莱克多巴胺分子印迹SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于，

步骤5)所述的旋涂的转速6000～8000转/分，旋涂时间为7～15s。