[发明专利]一种可短路保护的短信网关在审
申请号: | 201410258451.5 | 申请日: | 2014-06-12 |
公开(公告)号: | CN104052017A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 王学宗 | 申请(专利权)人: | 四川联友电讯技术有限公司 |
主分类号: | H02H3/08 | 分类号: | H02H3/08;H04W88/16;H04W88/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 短路 保护 短信 网关 | ||
技术领域
本发明涉及一种短信网关,更具体的说是涉及一种可短路保护的短信网关。
背景技术
短信网关全称为internet short message gateway,主要为了解决各网络、各运营商之间的短信互通和SP的接入问题。它是为收发短信而提供的一个动态数据交换装置。手机用户的增多,短信业务已成为手机用户经常使用的业务之一。其短信网关是信息交互的重要设备。现有的短信网关,电源模块直接给短信接收模块和短信发送模块供电。若电源模块出现问题,将使短信网关处于瘫痪状态,将给网络运营商带来严重的经济损失。
发明内容
本发明提供一种可短路保护的短信网关,其在电源端口上连接短路保护电路,使得其不管是对电源短路还是对地短路,均不影响短信网关的正常工作,实现安全级的短路保护,保护网络营运商的利益。
为解决上述的技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种可短路保护的短信网关,它包括电源端口,所述的电源端口上连接有短路保护电路,所述的短路保护电路包括场效应管MOS1和场效应管MOS2,所述的场效应管MOS1的源极连接在电源端口上且漏极同时与场效应管MOS2的源极和二极管D2的阳极相连,所述的场效应管MOS1的栅极和场效应管MOS2的栅极同时连接在运算放大器的输出端上,所述的场效应管MOS1的栅极连接在场效应管MOS3的源极上,所述的场效应管MOS2的漏极连接在电源上,所述的场效应管MOS3的漏极通过电阻R1与地相连,所述的二极管D2的阴极通过电阻R3连接在运算放大器的反相输入端上,所述的场效应管MOS1的源极连接在二极管D1的阴极上,所述的二极管D1的阳极连接在运算放大器的同相输入端上。
更进一步的技术方案是:
作为优选,所述的场效应管MOS1、场效应管MOS2和场效应管MOS3均为N型场效应管。
进一步的,所述的运算放大器的同相输入端上连接有接地电阻R2,所述的电阻R2上并联有电容。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明在短信网关的电源端口上连接短路保护电路,使得短信网关不管是对电源短路还是对地短路,均能正常工作,实现安全级的短路保护,保护网络营运商的利益。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明的短路保护电路的电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的一种可短路保护的短信网关,它包括电源端口,所述的电源端口上连接有短路保护电路,所述的短路保护电路包括场效应管MOS1和场效应管MOS2,所述的场效应管MOS1的源极连接在电源端口上且漏极同时与场效应管MOS2的源极和二极管D2的阳极相连,所述的场效应管MOS1的栅极和场效应管MOS2的栅极同时连接在运算放大器的输出端上,所述的场效应管MOS1的栅极连接在场效应管MOS3的源极上,所述的场效应管MOS2的漏极连接在电源上,所述的场效应管MOS3的漏极通过电阻R1与地相连,所述的二极管D2的阴极通过电阻R3连接在运算放大器的反相输入端上,所述的场效应管MOS1的源极连接在二极管D1的阴极上,所述的二极管D1的阳极连接在运算放大器的同相输入端上。在本发明中,场效应管MOS3的栅极连接在短信网关的电源端口上。场效应管MOS1和场效应管MOS2用于控制电源的输出,运算放大器的同相输入端受电源端口电压的影响,反相输入端的电位由不定电压和分压电阻的决定。不定电压由场效应管MOS2的漏极电压或者电源端口电压来决定,其等于两者中较大的电压值。运算放大器构成一个窗口比较器。如果电源端口的电压值在窗口比较器的比较值之外,运算放大器输出一个低电平,将场效应管MOS1和场效应管MOS2关断,使得电源端口电压无法进入,也防止因对地短路发生的过流,使得短信网关免受电路侵扰的问题。短路保护电路的电路结构简单有效,对网络运营商的利益进行保护,避免短信网关的故障给网络运营商带来经济损失。
所述的场效应管MOS1、场效应管MOS2和场效应管MOS3均为N型场效应管。
为了使短路保护电路性能更稳定,所述的运算放大器的同相输入端上连接有接地电阻R2,所述的电阻R2上并联有电容。电容可对尖峰脉冲进行吸收,避免干扰对电路的影响,使得其可靠性增强。
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