[发明专利]串叠开关装置

权利要求书

1.一种串叠开关装置，包含：

一高压晶体管，包含一第一漏极、一第一源极以及一第一栅极；以及

一低压晶体管，包含一第二漏极、一第二源极以及一第二栅极，该低压晶体管与该高压晶体管相串叠，以使该第一源极电性连接于该第二漏极；

其中该串叠开关装置在该第一源极以及该第一漏极间具有一第一漏源极电容值，在该第一栅极以及该第一源极间具有一栅源极电容值，在该第二源极以及该第二漏极间具有一第二漏源极电容值，以及在该第二栅极以及该第二漏极间具有一栅漏极电容值；以及

其中该第二漏源极电容值、该栅漏极电容值以及该栅源极电容值的一等效电容，相对该第一漏源极电容值间的一第一比值由该高压晶体管的一漏极电压与该低压晶体管的一击穿电压间的一第二比值决定，以提供该低压晶体管一电压保护机制。

2.如权利要求1所述的串叠开关装置，其中该第一比值约小于120。

3.如权利要求1所述的串叠开关装置，其中该第一比值约大于5。

4.如权利要求1所述的串叠开关装置，其中该高压晶体管为一三族氮化物功率晶体管。

5.如权利要求1所述的串叠开关装置，其中该低压晶体管为一硅基场效晶体管。

6.如权利要求1所述的串叠开关装置，其中该高压晶体管以及该低压晶体管均为氮化物场效晶体管。

7.如权利要求6所述的串叠开关装置，其中该高压晶体管以及该低压晶体管单片地形成于同一基板上。

8.如权利要求1所述的串叠开关装置，其中该第二源极连接于该第一栅极。

9.如权利要求1所述的串叠开关装置，其中该第二漏源电容值由该低压晶体管的该第二漏极以及该第二源极间的一内部电容值提供。

10.如权利要求1所述的串叠开关装置，更包含一第一附加电阻，连接于该低压晶体管的该第二漏极以及该第二源极间。

11.如权利要求10所述的串叠开关装置，其中该低压晶体管的一导通电阻值小于该第一附加电阻的一电阻值，且该低压晶体管的该关闭电阻值大于该第一附加电阻的该电阻值。

12.如权利要求1所述的串叠开关装置，其中该第二漏源极电容值由该低压晶体管的一内部电容值以及连接于该低压晶体管的该第二漏极以及该第二源极间的一第一附加电容的一电容值等效提供。

13.如权利要求1所述的串叠开关装置，其中该栅漏极电容值由该低压晶体管的该第二栅极以及该第二漏极间的一内部电容值提供。

14.如权利要求13所述的串叠开关装置，更包含一第二附加电阻，连接于该低压晶体管的该第二栅极以及该第二漏极间。

15.如权利要求1所述的串叠开关装置，其中该栅漏极电容值由该低压晶体管的一内部电容值以及连接于该低压晶体管的该第二栅极以及该第二漏极间的一第二附加电容的一电容值等效提供。

16.一种串叠开关装置，包含：

一常开高压晶体管，包含一第一漏极、一第一源极以及一第一栅极；以及

一常闭低压晶体管，包含一第二漏极、一第二源极以及一第二栅极，该常闭低压晶体管与该常开高压晶体管相串叠；

其中该串叠开关装置在该第一源极以及该第一漏极间具有一第一漏源极电容值，在该第一栅极以及该第一源极间具有一栅源极电容值，在该第二源极以及该第二漏极间具有一第二漏源极电容值，以及在该第二栅极以及该第二漏极间具有一栅漏极电容值；以及

其中该第二漏源极电容值、该栅漏极电容值以及该栅源极电容值的一等效电容，相对该第一漏源极电容值间的一第一比值与该常开高压晶体管的一漏极电压由该常闭低压晶体管的一击穿电压间的一第二比值决定，以提供该常闭低压晶体管一电压保护机制。