[发明专利]二氧化碲基底上的一种中短波红外增透膜有效
| 申请号： | 201410258890.6 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104035146A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 罗海瀚;刘定权;蔡清元;李耀鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | G02B1/11 | 分类号： | G02B1/11 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 基底 一种 中短波 红外 增透膜 | ||
【权利要求书】：
1.二氧化碲基底上的一种中短波红外增透膜，其结构为：在基底的一面沉积正面膜系(1)，在基底的另一面沉积反面膜系(3)，其特征在于：
a、所述的正面膜系(1)的膜系结构为：
基底/0.314H0.025L1.961H0.078L0.496H0.257L0.258H0.894L/空气其中，H表示一个λ0/4光学厚度的ZnS膜层，L表示一个λ0/4光学厚度的YbF3膜层，λ0为中心波长，H与L前的数字为膜层的厚度比例系数；
b、所述的反面膜系(3)的膜系结构为：
基底/0.28H0.022L1.638H0.076L0.396H0.227L0.204H0.743L/空气其中，H表示一个λ0/4光学厚度的ZnS膜层，L表示一个λ0/4光学厚度的YbF3膜层，H与L前的数字为膜层的厚度比例系数。
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