[发明专利]用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法

权利要求书

1.用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法，其特征在于包括以下步骤：

A、对衬底进行清洁处理；

B、在衬底表面沉积非晶硅薄膜；

C、对沉积在衬底表面的非晶硅薄膜进行纳秒激光扫描，从而在非晶硅表面形成陷光结构。

2.如权利要求1所述的用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法，其特征在于：在步骤A中，对衬底采用如下所述的方式进行清洁处理：首先，将衬底浸泡在浓硫酸及重铬酸钾调配的溶液中去除表面的重金属颗粒及其他杂质；然后用去离子水清洗衬底；接着将衬底在丙酮和无水乙醇中分别进行超声清洗；最后用去离子水反复冲洗衬底并放置在酒精中。

3.如权利要求2所述的用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法，其特征在于：衬底在丙酮和无水乙醇中分别进行超声清洗的时间为15min。

4.如权利要求3所述的用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法，其特征在于：在进行步骤B之前，先将衬底用氮气吹干。

5.如权利要求1所述的用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法，其特征在于：在步骤B中，采用PECVD化学气相沉积技术在衬底表面沉积非晶硅薄膜，并且在沉积的过程向PECVD反应室通入硅烷SiH₄和氩气Ar的混合气体。

6.如权利要求5所述的用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法，其特征在于：所述SiH₄和Ar气的混合气体按照如下所述的比例混合而成，Ar/SiH₄的比值范围为1～20。

7.根据权利要求1至6中任意一项权利要求所述的用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法，其特征在于：在步骤C中，对沉积在衬底表面的非晶硅薄膜进行纳秒激光扫描的具体方法如下：将制备好的非晶硅薄膜放入密闭腔中，并抽真空至1×10^-3Pa或以下；通入SF₆气体；使用532nm激光扫描薄膜表面，激光器重复频率为1-10Hz，脉冲宽度为6-10ns，能量密度为3mJ/cm²，扫描速度为0.4μm/s。

8.如权利要求7所述的用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法，其特征在于：所述衬底为玻璃衬底或陶瓷衬底。