[发明专利]掩膜板及利用掩膜板构图的方法在审
申请号: | 201410259177.3 | 申请日: | 2014-06-11 |
公开(公告)号: | CN104035274A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 汪栋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 利用 构图 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种掩膜板及利用掩膜板构图的方法。
背景技术
液晶显示器凭借其功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点,已经成为平面显示器的主流,被广泛应用于各种显示元件,例如移动电话、电脑、电视等电子装置的显示器上。
液晶显示器的主要结构包括对盒形成的阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层,其原理是通过电场控制液晶层中液晶分子的扭转,从而控制液晶层的透光率,而彩膜基板上形成有黑矩阵(BM)和着色层矩阵(RGB),分别实现遮光和滤光的作用,在液晶显示器的制作过程中,对于彩膜基板,其上的黑矩阵(BM)、着色层矩阵(RGB)与支撑柱(PS)普遍采用负性光刻胶,并通过涂布、接近式曝光、显影、烘烤等工序形成,具体地,参见图1及图2,在接近式曝光工序中,曝光光线穿过掩膜板1’的开口区域照射至基板3’上的负性光刻胶2’表面,接触到光线的光刻胶区域将发生聚合反应,形成高强度的高分子链,而后经过显影、烘烤后将在基板3’表面形成矩阵21’,而未接触到光线的光刻胶区域在显影工序中将被溶解或剥离,但是,在曝光工序中,参见图3及图4,掩膜板包括遮光区域11’和开口区域12’,掩膜板中开口区域12’的边缘为直线状,在曝光光源穿过掩膜板的开口区域12’时,由于光源的衍射作用,不同掩膜板开口区域对应的光强存在差异,特别是在开口区域的边缘处,其对应的光强偏低(开口区域线宽越小,此种差异越明显),从而影响开口区域边缘处的负性光刻胶的表面硬化效果,在后续的显影工序中,开口区域边缘处的光刻胶吸收水分膨胀,应力加大,容易产生横向变形,造成矩阵21’边缘的弯曲(如图5),进而使得彩膜基板中的彩色滤光片的矩阵边缘产生锯齿状或者波浪状,造成后续形成的显示器产生色彩显示不均等不良,特别是在形成线宽小于10μm的黑矩阵(BM)的过程中,此种现象更为明显。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是提供一种掩膜板及利用掩膜板构图的方法,能够提高光刻胶形成矩阵的边缘的直线性。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本发明的技术方案提供了一种掩膜板,包括遮光区域和开口区域,其中,所述开口区域的边缘呈凹凸状。
进一步地,所述凹凸状为锯齿状或者波浪状。
进一步地,所述凹凸状由多个凸起形成,且同一边缘上任意相邻两个凸起之间的间距相同。
进一步地,所述多个凸起为等腰三角形且大小相同。
进一步地,所述凸起的顶角为30度~150度。
进一步地,所述凸起的高度为1μm至2μm,宽度为1μm至8μm。
进一步地,所述开口区域两边缘上的凸起一一正对设置。
进一步地,所述开口区域两边缘上任意相对凸起之间的距离为4μm至50μm。
为解决上述技术问题,本发明还提供了一种利用上述任意一种掩膜板构图的方法,包括:
在基板上形成光刻胶层;
采用所述掩膜板对所述光刻胶层进行曝光,显影后形成光刻胶矩阵。
进一步地,所述光刻胶层中的光刻胶为负性光刻胶。
(三)有益效果
本发明通过将掩膜板的开口区域的边缘设为凹凸状,从而可以提高光刻胶在涂布、曝光、显影、烘烤工序后形成矩阵的边缘直线性,进而能够防止彩膜基板中彩色滤光片的矩阵边缘产生锯齿状或者波浪状的问题,从而提高液晶显示器的色彩显示的均匀性,尤其对于采用负性光刻胶或者形成矩阵线宽较细的产品,其效果尤为显著。
附图说明
图1~2是现有技术中负性光刻胶曝光显影的示意图;
图3是现有技术中掩膜板的示意图;
图4~5是现有技术中形成的负性光刻胶矩阵的示意图;
图6是本发明实施方式提供的一种掩膜板的示意图;
图7是本发明实施方式提供的一种开口区域的示意图;
图8是本发明实施方式提供的另一种开口区域的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
图5是本发明实施方式提供的一种掩膜板的示意图,该掩膜板包括遮光区域11和开口区域12,所述开口区域12的边缘呈凹凸状。
其中,上述凹凸状可以为图7所示的波浪状,也可以为图8所示的锯齿状。
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