[发明专利]在具有高薄层电阻的工件上的电化学沉积

权利要求书

1.一种用于至少部分填充工件上的部件的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)获得包括部件的工件；

(b)将第一导电层沉积在所述部件中，其中所述第一导电层的薄层电阻大于10欧姆/方；和

(c)通过电化学沉积将第二导电层沉积在所述部件中，其中电气接触件至少部分地浸没在沉积化学品中。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一导电层是种晶层。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述种晶层选自由以下各物组成的群组：种晶、二次种晶、和种晶与衬垫的堆叠膜。

4.如权利要求2所述的方法，其中用于所述种晶层的各组分的金属选自由以下各物组成的群组：铜、钴、镍、金、银、锰、锡、铝、钌和以上各物的合金。

5.如权利要求1所述的方法，其中通过选自由物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积和无电沉积组成的群组的工艺来沉积所述第一导电层。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第二导电层是通过电化学沉积所沉积的覆盖或填充层。

7.如权利要求6所述的方法，其中使用酸性化学品沉积所述第二导电层。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第二导电层是通过电化学沉积所沉积的共形导电层。

9.如权利要求8所述的方法，其中使用碱性化学品沉积所述第二导电层。

10.如权利要求8所示的方法，其中所述第二导电层具有选自由大于约10欧姆/方、大于约50欧姆/方、大于约100欧姆/方组成的群组的薄层电阻。

11.如权利要求8所述的方法，所述方法还包括热处理所述工件以使所述第二导电层反流以至少部分填充所述部件。

12.如权利要求11所述的方法，所述方法还包括将覆盖、填充层或另一共形导电层沉积在反流的所述第二导电层上。

13.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在沉积所述第一导电层之前将阻挡层沉积在所述部件中。

14.如权利要求13所述的方法，其中将所述第一导电层直接沉积在所述阻挡层上。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述第一导电层的薄层电阻大于50欧姆/方或大于100欧姆/方。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述部件的临界尺寸选自由以下各者组成的群组：小于30nm、约5nm到小于30nm、约10nm到小于30nm、约15nm到约20nm、及约20nm到小于30nm、小于20nm、小于10nm、及约5nm到约10nm。

17.如权利要求1所述的方法，其中将所述第二导电层沉积在所述第一导电层的整个表面之上。

18.如权利要求1所述的方法，其中所述电气接触件选自由以下各接触件组成的群组：开路接触件、非密封接触件、嵌入式接触件和屏蔽式接触件。

19.一种用于至少部分填充工件上的部件的方法，所述方法包括以下步骤：

(a)获得包括部件的工件；

(b)将种晶层沉积在所述部件中，其中所述种晶层的薄层电阻大于10欧姆/方；和

(c)通过电化学沉积将导电层沉积在所述部件中并且在所述种晶层上，其中电气接触件至少部分地浸没在沉积化学品中。

20.一种工件，所述工件包括：

(a)部件；

(b)在所述部件中的第一导电层，其中所述第一导电层的薄层电阻大于10欧姆/方；和

(c)在所述部件中的第二导电层，其中所述第二导电层覆盖所述第一导电层的整个表面。