[发明专利]蓝宝石基板的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及对蓝宝石基板、更详细地说是从蓝宝石晶棒切出并利用A面形成了正面和背面的蓝宝石基板进行磨削的蓝宝石基板的加工方法。

背景技术

在光设备制造工序中，在蓝宝石基板的正面上层叠由氮化镓系列化合物半导体构成的发光层并在通过形成为格子状的多个间隔道划分出的多个区域内形成发光二极管、激光二极管等光设备来构成光设备晶片。并且，通过沿着间隔道切断光设备晶片来分割形成有光设备的区域，制造各个光设备。

蓝宝石构成具有称为A面、C面、R面的结晶面的结晶构造，利用蓝宝石晶棒的切出方法形成将A面、C面、R面作为正背面的蓝宝石基板。即，蓝宝石晶棒呈现接近于圆柱的圆锥台形，圆锥台形的底面和上表面为A面，与A面垂直的面为C面，相对于C面倾斜的面为R面，当从上表面开始向底面对芯进行切片时形成将A面作为正背面的蓝宝石基板，当从圆锥台形的侧面开始向与A面平行的方向进行切片时形成将C面作为正背面的蓝宝石基板，当从与R面垂直的方向对芯进行切片时形成将R面作为正背面的蓝宝石基板。A面、C面、R面的结晶构造不同，因此优选适当选择与层叠的发光层的结晶构造对应的蓝宝石基板。

为了制造光设备晶片，在蓝宝石基板的正面上层叠而形成发光层，但在对于层叠发光层之前切出的蓝宝石基板，也要利用磨削装置对正面和背面进行磨削而使其实现平坦化(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2007-38357号公报

关于蓝宝石的上述C面，利用磨削装置进行的磨削良好，因此作为光设备晶片的基板一般利用将C面作为正背面的蓝宝石基板。

然而，在将C面作为正背面的蓝宝石基板中，由于如上所述从侧面向与A面平行的方向对圆锥台形的蓝宝石晶棒进行切片，因此存在蓝宝石晶棒的浪费多且生产性差这样的问题。

另一方面，在将A面作为正背面的蓝宝石基板中，由于如上所述从圆锥台形的蓝宝石晶棒的上表面开始向底面对芯进行切片，因此具有蓝宝石晶棒的浪费少并且与由氮化镓系列化合物半导体构成的发光层的融合良好这样的优点，但是存在当利用磨削装置对A面进行磨削时产生工艺上的小缺损(mucilage)而无法确保表面精度这样的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于，提供如下这样的蓝宝石基板的加工方法：在从蓝宝石晶棒的切出中减少浪费，能够确保将与由氮化镓系列化合物半导体构成的发光层融合良好的A面作为正背面的蓝宝石基板的面精度。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供蓝宝石基板的加工方法，对从蓝宝石晶棒切出并由A面形成了正面和背面的蓝宝石基板进行磨削加工，该蓝宝石基板的加工方法的特征在于，包含：

保持工序，在保持被加工物并能够旋转的卡盘工作台上保持蓝宝石基板的一面；以及

磨削工序，使保持有蓝宝石基板的卡盘工作台旋转，并且一边使环状地配设有磨削石的砂轮旋转一边使磨削石与蓝宝石基板的另一面接触而对蓝宝石基板的另一面进行磨削，

在该磨削工序中，作为磨削液向磨削石的磨削部供给混入了金刚石磨粒的浆料。

上述磨削石是将粒径为1μm～2μm的金刚石磨粒混入到结合剂而构成，上述磨削液由在纯水中混入了粒径为3μm～9μm的金刚石磨粒的浆料构成。

在本发明的蓝宝石基板的加工方法中，具有磨削工序，在该磨削工序中，使保持由A面形成了正面和背面的蓝宝石基板的一个面的卡盘工作台进行旋转，并且一边使环状地配设有磨削石的砂轮进行旋转一边使磨削石与蓝宝石基板的另一面接触而对蓝宝石基板的另一面进行磨削，并且在该磨削工序中向磨削石的磨削部供给混入了金刚石磨粒的浆料来作为磨削液，因此通过磨削石的磨削与向磨削石的磨削部供给在纯水中混入了金刚石磨粒的浆料来进行的抛光的叠加效果，在蓝宝石基板的A面、即被磨削面上不会产生工艺上的小缺损，能够获得良好的面精度。

附图说明

图1是用于实施本发明的蓝宝石基板的磨削方法的磨削装置的立体图。

图2是从构成图1所示的磨削装置所装备的磨削单元的轮安装件的下方观察的立体图。

图3是安装在图2所示的轮安装件上的砂轮的立体图。

图4是示出在图2所示的轮安装件上安装了图3所示的砂轮的状态的截面图。

图5是利用本发明的蓝宝石基板的磨削方法进行磨削加工的蓝宝石基板的立体图。

图6是示出在图5所示的蓝宝石基板的背面贴附了衬底的状态的立体图。

图7是示出通过图1所示的磨削装置实施的磨削工序的说明图。