[发明专利]一种增强型聚光太阳能电池芯片

权利要求书

1.一种增强型聚光太阳能电池芯片，其特征是，它包括负电极层，聚光太阳能电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光太阳能电池基材层一面覆上正电极层，另一面覆上负电极层，负电极为一密封的“口”字形形状，负电极之内的部分为有效面积。

2.根据权利要求1所述的一种增强型聚光太阳能电池芯片，其特征是，所述聚光太阳能电池基材层为GaInP/GaAs/Ge三层结合体。

3.根据权利要求1所述的一种增强型聚光太阳能电池芯片，其特征是，所述正电极层面积形状和聚光太阳能电池基材层面积形状完全一样。

4.根据权利要求1所述的一种增强型聚光太阳能电池芯片，其特征是，所述负电极层为“口”字形形状的电极层，并放置在聚光太阳能电池基材层的四个端面。

5.根据权利要求1和4所述的一种增强型聚光太阳能电池芯片，其特征是，所述其中两个相对负电极层的宽度为0.5~2mm，厚度为0.2~1mm，另外两个相对负电极的宽度为0.1~1mm，厚度为0.2~1mm。

6.根据权利要求1所述的一种增强型聚光太阳能电池芯片，其特征是，所述有效面积为一长方形形状，长和宽之差在0.01~1mm之间。