[发明专利]耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法

权利要求书

1.耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，该方法包括以下步骤：

1）在SiC晶片背面蒸发或者溅射一层金属，退火后形成欧姆接触；

2）在背面欧姆接触上蒸发或者溅射一层阻挡金属；

3）在SiC晶片正面涂一层树脂，烘箱高温烘烤固化树脂；

4）SiC晶片正面涂胶保护，湿法HF腐蚀，清洗甩干；

5）在SiC晶片背面沉淀加厚金属；

6）去胶划片，芯片烧结到载体上后做剪切力评估。

2.根据权利要求1所述的耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，其特征是所述在SiC晶片背面蒸发或者溅射一层金属100nm的Ni金属，1000^oC退火10min后形成良好的欧姆接触；100nm的Ni金属在高温快速退火中，没有全部与SiC反应，表层没有和SiC反应的Ni还比较致密，阻挡了碳的析出，所以此时观察不到背面有发黑的碳析出。

3.根据权利要求1所述的耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，其特征是所述在背面欧姆接触上溅射一层阻挡金属包括W，Ti，WTi，WiTiAuTi，厚度为10nm～300nm，采用蒸发或者溅射的方式形成。

4.根据权利要求1所述的耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，其特征是所述在SiC晶片正面涂一层树脂是4μm厚的树脂层，烘箱加热温度从25℃开始，多段2h加热到400℃，然后在400℃恒温2h后，降温到室温；经过次高温处理以后，碳扩到了阻挡金属层，与W、Ti或者其合金结合，防止了碳向金属表面的扩散，避免在表面形成游离的碳层，影响加厚金属的粘附性。

5.根据权利要求1所述的耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，其特征是所述SiC晶片正面涂胶保护，湿法HF腐蚀，是质量配比浓度为20%的HF%处理1min。

6.根据权利要求1所述的耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，其特征是所述在SiC晶片背面沉淀加厚金属是经过步骤4）以后，背面蒸发、溅射或者电镀1μm～6μm的加厚金属，背面加厚金属包括Au，Ag，NiAu，NiAg，TiNiAu，TiNiAg；去胶后划片。

7.根据权利要求1所述的耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，其特征是所述背面欧姆金属还包括Ni，Ti，Gr，Mo，W及其合金，退火温度为600^oC～1100^oC。

8.根据权利要求1所述的耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，其特征是所述背面欧姆上溅射一层阻挡金属，此阻挡金属包括W，Ti，WTi，WiTiAuTi，厚度为10nm～300nm，采用蒸发或者溅射的方式形成。

9.根据权利要求4所述的耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，其特征是所述在SiC晶片正面涂一层树脂，树脂层为苯并环丁烯或者聚酰亚胺，烘箱烘烤温度为100^oC～500^oC，烘烤时间为1h～12h。

10.根据权利要求5所述的耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，其特征是所述HF的质量配比浓度为5%～10%，或30%～50%，处理的时间为10s～9min。