[发明专利]检测半导体芯片背面金属层分离的方法

权利要求书

1.一种检测半导体芯片背面金属层分离的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

步骤一、在待检测芯片背面金属化层上粘贴一层薄膜

将芯片放在洁净、无颗粒的平台上，将薄膜均匀地粘贴在芯片背面金属化层上；

步骤二、对贴有薄膜的芯片进行烘烤

将粘贴好的芯片放入烘箱，同时往烘箱内通入氮气进行保护，要求烘箱的温度在80℃~100℃之间，烘烤时间为25分钟至30分钟，氮气要求流量在9L/min~11L/min范围内；

步骤三：撕除芯片背面金属化层上的薄膜

将步骤二的芯片从烤箱中取出，冷却5分钟后将粘在芯片背面金属化层上的薄膜揭去。

2.根据权利要求1所述的一种检测半导体芯片背面金属层分离的方法，其特征在于步骤一中的薄膜粘结力要大于3.0N/20mm，薄膜的延展性能要小于150%，薄膜本身较柔软，不能呈刚性，并且薄膜颜色均匀一致，无金属光泽，整体透明或者半透明。

3.根据权利要求1或2所述的一种检测半导体芯片背面金属层分离的方法，其特征在于步骤三撕膜时将芯片存放在开设有真空孔或者真空槽的平台上，平台真空度大于7KPa，撕膜速度控制在10mm/S以下。