[发明专利]导电膜的制作方法及触控面板的制作方法及触控面板

说明书

本发明涉及触控技术领域，特别涉及一种导电膜的制作方法及触控面板的制作方法及触控面板。导电膜的制作方法包括步骤S1，提供一透明基材；步骤S2，在所述透明基材上涂布光刻胶层；步骤S3，在所述光刻胶层上制作出相应图案化的凹槽并利用紫外光照固化所述光刻胶层，所述凹槽的顶部开口尺寸大于所述凹槽底部的尺寸；步骤S4，在透明光刻胶层上涂布一层疏水层，在所述凹槽内涂布掺有疏水溶剂的纳米银线溶液，该步骤中的涂布方式为狭缝式挤压涂布，所述狭缝式挤压涂布为从光刻胶层的一端到另一端做往复式涂布，且两端的连线呈15°—85°；所述纳米银线的线长为10μm‑300μm，线径小于500nm，长宽比大于400；及步骤S5，固化所述凹槽内的纳米银线溶液以形成纳米银线导电膜。

【技术领域】

本发明涉及触控技术领域，特别涉及一种导电膜的制作方法及触控面板的制作方法及触控面板。

【背景技术】

在传统智能手机，如iphone等的电容式触控面板中，导电膜的材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)。ITO的透光率很高，导电性能较好，广泛应用为目前触控面板与显示面板的导电电极材料。但是，铟是一种昂贵的金属材料，以ITO作为导电层的材料，很大程度上提升触摸屏的成本，再者，ITO导电层在图形化工艺中，需将镀好的整面ITO膜进行蚀刻，以形成ITO图案，在此工艺中，大量的ITO被蚀刻掉，造成大量的贵金属浪费及污染，成本较高。而且，在制造方法上，制作ITO导电膜需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，造成ITO的整体制作成本非常昂贵。ITO导电膜的基础制造流程近年来并未发生太大的改变。总是不可避免的需要ITO镀膜，ITO图形化。

正因如此，产业界一直在致力于开发I T O的替代材料，其中纳米银线(silvernano wires，简称SNW)作为一种新兴材料开始替代ITO成为优选的导电材料。SNW是诸多ITO替代材料目前最为成熟的一种。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作为优选替代ITO作为触控电极的材料，实现基于纳米银线的触控面板。

将纳米银线做成导电层的方法目前还未完全成熟，很大程度上还是借用ITO的一些制作工艺或制作设备生搬硬套使用在纳米银线导电膜的制作。最常用的莫过于，制作导电层时，在基底上正面涂布一层纳米银线导电浆液，固化后形成纳米银线的导电薄膜，然后蚀刻出想要的导电图案。这种方法在制作导电薄膜时会蚀刻掉非常多的纳米银线材料，而且这些材料不可以再次使用，只能进行回收再次成型后才可继续使用，造成原材料的过度浪费。

在另外的其他工艺中，大都会将纳米银线涂布在基质或基材上。在涂布的工艺中，由于现有技术制备的纳米银线具有很高的长宽比(大于100)，因此在涂布形成均匀薄膜时存在一定的工艺技术困难，并且纳米银线之间由于仅凭较弱的分子间作用力搭接在一起，容易在曲挠作用下发生滑移，致使纳米银线导电膜的电阻较高，导向性能不好。

同时，由于纳米银线的反光率比ITO高，采用纳米银线作为导电层时，触控面板在视觉上会出现白雾现象，如果采用涂布纳米银线制作导电层的话，纳米银线导电膜在基材上的分布面积非常大，以致纳米银线本身材料的雾度问题就会非常明显，影响其制作成的触摸面板的视觉效果与透光度。

【发明内容】

为克服现有纳米银线替代ITO作为新的导电材料来制作触控面板的工艺问题，本发明提供了一种新的导电膜的制作方法及触控面板的制作方法及触控面板。

本发明解决技术问题的方案是提供一种导电膜的制作方法，该制作方法包括以下步骤：

步骤S1，提供一透明基材；

步骤S2，在所述透明基材上涂布光刻胶层；

步骤S3，在所述光刻胶层上制作出相应图案化的凹槽并利用紫外光照固化所述光刻胶层，所述凹槽的顶部开口尺寸大于所述凹槽底部的尺寸；