[发明专利]处理多晶硅尾气的方法和系统

权利要求书

1.一种处理多晶硅尾气的方法，所述多晶硅尾气包含罐区尾气、精馏塔区尾气、还原车间吹扫尾气、罐区安全排放尾气、精馏塔区安全排放尾气和还原车间安全排放尾气中的至少之一，其特征在于，包括：

(1)将罐区尾气、精馏塔区尾气和还原车间吹扫尾气中的至少之一进行第一冷凝处理，以便分别得到第一氯硅烷冷凝液和第一不凝气；

(2)将步骤(1)得到的所述第一氯硅烷冷凝液进行第一精馏处理，以便分别获得第一液态轻组分和第一液态重组分，所述第一液态轻组分中含有二氯二氢硅，所述第一液态重组分中含有三氯氢硅；

(3)将步骤(2)得到的所述第一液态轻组分进行反歧化处理，以便得到三氯氢硅；

(4)将步骤(3)得到的所述三氯氢硅进行吸附处理，以便得到纯净的三氯氢硅；以及

(5)将步骤(2)得到的所述第一液态重组分进行第二精馏处理，以便得到第二液态轻组分和第二液态重组分，并将所述第二液态轻组分返回步骤(2)进行所述第一精馏处理。

2.根据权利要求1所述的处理多晶硅尾气的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述第一冷凝处理是在-40～-38摄氏度的温度和0.1～0.15MPaG压力条件下进行的。

3.根据权利要求1所述的处理多晶硅尾气的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述第一精馏处理是在55～80摄氏度的温度和0.25～0.3MPaG压力条件下进行的。

4.根据权利要求1所述的处理多晶硅尾气的方法，其特征在于，在步骤(3)中，所述反歧化处理是在65～70摄氏度的温度和0.8～0.9MPaG压力条件下进行的。

5.根据权利要求1所述的处理多晶硅尾气的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述吸附处理是在不高于30摄氏度的温度和0.25～0.35MPaG压力条件下进行的。

6.根据权利要求1所述的处理多晶硅尾气的方法，其特征在于，在步骤(5)中，所述第二精馏处理是在70～80摄氏度的温度和0.25～0.3MPaG压力条件下进行的。

7.根据权利要求1所述的处理多晶硅尾气的方法，其特征在于，所述步骤(1)按照下列步骤进行：

(1-1)将所述罐区尾气、精馏塔区尾气和还原车间吹扫尾气中的至少之一进行汇集，以便得到第一混合尾气和第一尾气冷凝液；

(1-2)将所述第一混合尾气进行第一冷凝处理，以便得到第二尾气冷凝液和第一不凝气；以及

(1-3)将所述第一尾气冷凝液与所述第二尾气冷凝液进行汇集，以便得到所述第一氯硅烷冷凝液。

8.根据权利要求1所述的处理多晶硅尾气的方法，其特征在于，进一步包括：

(6)将所述罐区安全排放尾气、精馏塔区安全排放尾气和还原车间安全排放尾气中的至少之一进行第二冷凝处理，以便得到第二氯硅烷冷凝液和第二不凝气，并将所述第二氯硅烷冷凝液进行所述第一精馏处理。

9.根据权利要求1所述的处理多晶硅尾气的方法，其特征在于，所述步骤(6)按照下列步骤进行：

(6-1)将所述罐区安全排放尾气、精馏塔区安全排放尾气和还原车间安全排放尾气中的至少之一进行汇集，以便得到第二混合尾气和第三尾气冷凝液；

(6-2)将所述第二混合尾气进行第二冷凝处理，以便得到第四尾气冷凝液和第二不凝气；以及

(6-3)将所述第三尾气冷凝液与所述第四尾气冷凝液进行汇集，以便得到所述第二氯硅烷冷凝液。

10.根据权利要求9所述的处理多晶硅尾气的方法，其特征在于，所述第二冷凝处理是在当所述第二混合尾气的压力大于0.02MPaG时进行的。