[发明专利]异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法，所述方法包括异质结太阳能电池PECVD设备，所述异质结太阳能电池PECVD设备对硅片进行I层工艺、N层工艺和P层工艺，所述异质结太阳能电池PECVD设备包括用以在所述P层工艺与后续I层工艺之间共用的循环用具，其特征在于：在P层工艺之后增加水蒸气处理工艺用以在I层工艺之前除去所述循环用具表面的硼残留。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法，其特征在于：所述水蒸气处理工艺的工艺压力为0.1-5mbar，工艺时间为1-300s。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法，其特征在于：所述异质结太阳能电池PECVD设备包括单一PECVD腔体及所述PECVD腔体内用以承托硅片的托盘，所述I层工艺、N层工艺和P层工艺在所述共同的单一PECVD腔体内进行，所述循环用具为所述PECVD腔体，在P层工艺之后进行所述水蒸气处理工艺用以在I层工艺之前除去所述PECVD腔体表面的硼残留。

4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法，其特征在于：所述水蒸气处理工艺还包括前期的用以去除循环用具表面硅残留的NF3清洗工艺及用以去除循环用具表面在所述NF3清洗工艺后的氟残留物的H2等离子体处理工艺。

5.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法，其特征在于：所述方法包括：

步骤一：对硅片一面进行I层工艺；

步骤二：对硅片另一面进行I层工艺；

步骤三：在I层上进行N层或P层工艺；

步骤四：在硅片另一面的I层上进行异质结太阳能电池所需的P层或N层工艺。

6.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法，其特征在于：所述方法包括：

步骤一：对硅片一面进行I层工艺；

步骤二：在所述I层上进行N层或P层工艺；

步骤三：对硅片另一面进行I层工艺；

步骤四：在所述I层上进行异质结太阳能电池所需的P层或N层工艺。

7.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法，其特征在于：所述异质结太阳能电池PECVD设备包括P层工艺反应腔及用以进行I层工艺的反应腔，所述P层工艺在独立的P层工艺反应腔内进行，所述循环用具为用以将硅片从P层工艺反应腔传递到用以进行I层工艺的反应腔内的托盘，在P层工艺之后进行所述水蒸气处理工艺用以在I层工艺之前除去所述托盘表面的硼残留。

8.根据权利要求7所述的异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法，其特征在于：所述水蒸气处理工艺在所述P层工艺反应腔内进行，所述水蒸气处理工艺用以除去所述硅片及托盘表面的硼残留。

9.根据权利要求7所述的异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法，其特征在于：所述异质结太阳能电池PECVD设备包括用以将硅片和托盘在完成P层工艺之后取出的出片腔，所述水蒸气处理工艺在所述出片腔内进行，待水蒸气处理完成后，再使出片腔破真空，所述水蒸气处理工艺用以除去所述硅片及托盘表面的硼残留。

10.根据权利要求7所述的异质结太阳能电池PECVD工艺受硼污染解决方法，其特征在于：所述异质结太阳能电池PECVD设备包括用以将硅片和托盘在完成P层工艺之后取出的出片腔及用以将硅片和托盘送入用以进行I层工艺的反应腔内进行I层工艺的进片腔，所述出片腔与进片腔之间设有用以进行所述水蒸气处理工艺的真空腔，所述托盘从出片腔出来后卸载硅片，然后所述托盘经过所述真空腔进行水蒸气处理工艺后所述托盘再装载硅片从进片腔进入用以进行I层工艺的反应腔。