[发明专利]电容式触控面板

说明书

本发明涉及触控技术领域，特别涉及一种电容式触控面板。电容式触控面板，包括一基板，第一纳米银线导电层和第二纳米银线导电层，第二纳米银线导电层成形于基板的其中一表面上，第一纳米银线导电层包括复数第一导电电极及复数第一走线，第二纳米银线导电层包括复数第二导电电极、复数第二走线、复数连接线及连接区域，所述电容式触控面板还包括复数通孔，第一走线和连接线通过通孔电性连接。

【技术领域】

本发明涉及触控技术领域，特别涉及一种电容式触控面板。

【背景技术】

触控设备因其便于操作、呈像效果好、功能多元化等优点逐渐受到电子通讯行业的青睐，并广泛应用于资讯系统设备、家电设备、通讯设备、个人便携设备等产品上。

伴随近年来触摸屏在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，触摸屏一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触摸屏主要是电阻式触摸屏和电容式触摸屏，但是使用者出于可控性，易用性和表面外观的考虑，大多会选用电容式触摸屏作为其最佳首选设备。

在传统智能手机，如iphone等的电容式触摸屏中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)。ITO的透光率很高，导电性能较好。但ITO价格昂贵，ITO较脆，柔韧性差，弯曲时容易断裂造成功能不良，即使在遇到较小物理应力的弯曲也非常容易被破坏，ITO导电率一般大于70欧姆/方阻，随着触摸屏尺寸的逐步增大，特别是应用于15寸以上的面板时，ITO的缺陷越来越突出，其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大，ITO已经无法满足目前触控产品对于电阻率的要求，无法保证大尺寸触摸屏良好的导电性能与足够的灵敏度，也无法适用于电子产品不断低价化的发展趋势。

另外，在制造方法上，原来的ITO需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，造成ITO的整体制作成本非常昂贵。制程中ITO一般采用溅镀和黄光光阻涂布，曝光，显影，蚀刻，剥膜，高温烘烤等繁杂工序，成本高且耗时长。

请参阅图1与图2，传统的触控面板110中，在一个基板1101的上表面和下表面上分别形成ITO的第一导电层1103和第二导电层1105，或者是在两张基板上分别形成第一导电层1103和第二导电层1105，然后将第一导电层1103通过ITO走线或金属导电走线1109导通连接至第一FPC1107上，第二导电层1105通过ITO走线或金属导电走线1109导通连接至第二FPC1108上。这种结构的触控面板110需要经过两次溅镀，黄光，及压合制程且耗费两张FPC1107和1108，耗时耗成本。

【发明内容】

为克服现有ITO触控面板制程中所存在的制程复杂，成本较高的技术问题，本发明提供了一种生产成本低，制程简单的电容式触控面板。

本发明解决技术问题的技术方案是提供一种电容式触控面板，包括一基板，一第一纳米银线导电层和一第二纳米银线导电层，所述第二纳米银线导电层成形于所述基板的其中一表面上，所述第一纳米银线导电层设置于所述基板与所述第二纳米银线导电层相对设置的表面之上，所述第一纳米银线导电层包括复数第一导电电极及复数第一走线，所述第二纳米银线导电层包括复数第二导电电极、复数第二走线、复数连接线及连接区域，所述电容式触控面板还包括复数通孔，所述通孔贯穿所述基板，所述第一走线和所述连接线通过通孔电性连接；其中，所述第一纳米银线导电层和所述第二纳米银线导电层各包含一基质与复数散布于所述基质中的纳米银线，所述第一走线和所述第二走线由所述基质与所述纳米银线填满，第一走线和第二走线的宽度为5um-35um，相邻第一走线或相邻第二走线的线距为5um-35um；所述纳米银线的线长为10-300μm，所述纳米银线的线长与线径之比大于10；所述纳米银线之间形成搭接结构；所述的第一纳米银线导电层和所述的第二纳米银线导电层两侧可设置增粘层，平整层，光学匹配层之中的一层或多层。

优选地，所述通孔的直径大小为Φ20um到1mm。

优选地，所述通孔的直径大小为Φ200um到600um。