[发明专利]晶圆曝光布局的优化方法

权利要求书

1.一种晶圆曝光布局的优化方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤S01，提供待曝光晶圆；

步骤S02，制作掩膜板，该掩膜板图案具有X方向和Y方向长度分别为4Dx和4Dy的长方形，该长方形四个角向外具有至少两组沿该长方形横向中心线或纵向中心线对称的迭对标记；

步骤S03，通过涂胶、曝光和显影工艺，将该掩膜板的长方形及迭对标记图案转移到晶圆上，所述晶圆含有沿X方向和Y方向阵列状分布的大小一致的曝光单元，该曝光单元包括晶圆中间区域的完整曝光单元和晶圆边缘区域的非完整曝光单元，晶圆的曝光单元之间分属相邻两个曝光单元的第一迭对标记和第二迭对标记相互迭对；

步骤S04，通过迭对测量仪，测量晶圆中完整曝光单元和完整曝光单元之间迭对标记的中心偏移量，定义为标准偏移量；

步骤S05，通过迭对测量仪，测量晶圆边缘区域每组相邻完整曝光单元和非完整曝光单元之间迭对标记的中心偏移量，定义为边缘偏移量，该边缘偏移量包括X方向和Y方向；

步骤S06，判断晶圆X方向或Y方向最边缘曝光单元是否为完整曝光单元，若否，所有曝光单元沿X方向或Y方向相对于晶圆平移一预设距离，然后重复步骤S03至S06；若是，则进入步骤S07；

步骤S07，比较测得的每组边缘偏移量和标准偏移量，确定光刻机对非完整曝光单元对准的补偿边界，完成曝光单元布局的优化。

2.根据权利要求1所述的晶圆曝光布局的优化方法，其特征在于：该长方形四个角上具有四组迭对标记，每组迭对标记包括不重叠的第一迭对标记和第二迭对标记，该四组迭对标记沿该长方形中心旋转对称，使得相邻两个曝光单元边缘的第一迭对标记和第二迭对标记交错迭对。

3.根据权利要求2所述的晶圆曝光布局的优化方法，其特征在于：该第一迭对标记和第二迭对标记为尺寸不同的正方形。

4.根据权利要求3所述的晶圆曝光布局的优化方法，其特征在于：该第一迭对标记和第二迭对标记位于相邻曝光单元之间的切割道内。

5.根据权利要求1所述的晶圆曝光布局的优化方法，其特征在于：该中心偏移量是分属两个相邻曝光单元之间的第一迭对标记和第二迭对标记的中心偏移量，该标准偏移量是晶圆中心五个完整曝光单元之间多组跌对标记的中心偏移量。

6.根据权利要求1所述的晶圆曝光布局的优化方法，其特征在于：步骤S06中相对于晶圆平移所有曝光单元，以改变边缘曝光单元的曝光完整度。

7.根据权利要求6所述的晶圆曝光布局的优化方法，其特征在于：步骤S06中所有曝光单元相对于晶圆的平移距离为1/8Dx—1Dx或1/8Dy—1Dy。

8.根据权利要求1至7任一项所述的晶圆曝光布局的优化方法，其特征在于：步骤S07中以边缘偏移量与标准偏移量一致的最远端曝光单元为该方向的补偿边界。根据权利要求8所述的晶圆曝光布局的优化方法，其特征在于：若最边缘的曝光单元是非完整曝光单元，则比较平移后的边缘偏移量和标准偏移量，如一致，则以最边缘的曝光单元作为补偿边界，如不一致，则以最边缘向内一个曝光单元作为补偿边界。

9.根据权利要求8所述的晶圆曝光布局的优化方法，其特征在于：步骤S03选用I线光刻机、KrF光刻机、ArF光刻机或EUV光刻机。