[发明专利]芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片，包括基底、形成于所述基底上的多个金属层以及过流保护系统，所述过流保护系统包括过流保护电路和连接于所述过流保护电路的检测线，其特征在于：所述检测线设置于所述多个金属层中最薄的金属层。

2.如权利要求1所述的过流保护系统，其特征在于：所述检测线为熔断体。

3.如权利要求1所述的过流保护系统，其特征在于：所述多个金属层包括一底部金属层，所述最薄的金属层为所述底部金属层。

4.一种如权利要求1所述的芯片的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成多个金属层以及过流保护系统，所述过流保护系统包括过流保护电路和连接于所述过流保护电路的检测线，所述检测线设置于所述多个金属层中最薄的金属层；

刻蚀所述多个金属层形成通孔，所述通孔露出所述检测线的表面。

5.如权利要求4所述的芯片的制造方法，其特征在于：所述多个金属层包括一底部金属层，所述最薄的金属层为所述底部金属层。

6.如权利要求5所述的芯片的制造方法，其特征在于：在所述基底上形成所述多个金属层和过流保护系统的步骤包括：

在所述基底上形成所述底部金属层，所述过流保护系统位于所述底部金属层中；

在所述基底和所述底部金属层上形成金属间介质层；

在所述金属间介质层上形成上层金属层。

7.如权利要求6所述的芯片的制造方法，其特征在于：在所述金属间介质层上形成上层金属层的步骤之后，还包括在所述上层金属层和所述金属间介质层上形成钝化层的步骤。

8.如权利要求4-7任意一项所述的芯片的制造方法，其特征在于：所述多个金属层的材料均为铝。

9.如权利要求4-7任意一项所述的芯片的制造方法，其特征在于：所述基底为半导体衬底。